[實用新型]一種SiC晶圓片金屬電極退火爐用的新型石墨舟有效
| 申請號: | 201720039461.9 | 申請日: | 2017-01-13 |
| 公開(公告)號: | CN206441712U | 公開(公告)日: | 2017-08-25 |
| 發明(設計)人: | 李明山;倪煒江;張敬偉;牛喜平;徐妙玲 | 申請(專利權)人: | 北京世紀金光半導體有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/673 | 分類號: | H01L21/673 |
| 代理公司: | 北京中創陽光知識產權代理有限責任公司11003 | 代理人: | 尹振啟,張希宇 |
| 地址: | 100176 北京市大*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 sic 晶圓片 金屬電極 退火爐 新型 石墨 | ||
1.一種SiC晶圓片金屬電極退火爐用的新型石墨舟,其特征在于,所述石墨舟為圓盤型,石墨舟的上層表面開設有三種尺寸的圓形凹槽,一號凹槽的半徑為76mm、二號凹槽的半徑為51mm、三號凹槽的半徑為38mm,所述一號凹槽、所述二號凹槽和所述三號凹槽的槽底距離石墨舟上表面的深度依次增大;其中,一號凹槽和二號凹槽與石墨舟同軸設置,三個三號凹槽環繞石墨舟軸心線分布,三號凹槽的軸心線距離石墨舟軸心線44.5mm。
2.如權利要求1所述的新型石墨舟,其特征在于,所述石墨舟表面濺射有一層碳化鉭保護層。
3.如權利要求2所述的新型石墨舟,其特征在于,所述碳化鉭保護層為2μm。
4.如權利要求1所述的新型石墨舟,其特征在于,所述石墨舟的半徑為87.5mm,其高度在10-20mm之間。
5.如權利要求1所述的新型石墨舟,其特征在于,所述一號凹槽的槽底距離石墨舟上表面的深度為1-2mm;所述二號凹槽的槽底距離石墨舟上表面的深度為2-4mm;所述三號凹槽的槽底距離石墨舟上表面的深度為3-6mm。
6.如權利要求1所述的新型石墨舟,其特征在于,三個所述三號凹槽之間相隔120°分布。
7.如權利要求1所述的新型石墨舟,其特征在于,所述石墨舟的中心開設有用于插置測溫熱電偶的通孔。
8.如權利要求7所述的新型石墨舟,其特征在于,所述通孔的半徑為2.5mm。
9.如權利要求1所述的新型石墨舟,其特征在于,設置在所述石墨舟的下方的石英支架包括:環形外框,所述環形外框的內側設置至少三個向環形外框中心延伸的支撐梁,所述支撐梁沿環形外框的圓周方向均布。
10.如權利要求9所述的新型石墨舟,其特征在于,所述環形外框的內徑大于所述石墨舟的直徑,石墨舟置于所述支撐梁上。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





