[發明專利]一種薄膜及其制備方法與QLED器件有效
| 申請號： | 201711433803.6 | 申請日： | 2017-12-26 |
| 公開（公告）號： | CN109962179B | 公開（公告）日： | 2021-02-19 |
| 發明（設計）人： | 吳勁衡;吳龍佳;何斯納 | 申請（專利權）人： | TCL科技集團股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L51/56 | 分類號： | H01L51/56;H01L51/50;H01L51/54 |
| 代理公司： | 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;劉文求 |
| 地址： | 516006 廣東省惠州市*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 薄膜 及其 制備 方法 qled 器件 | ||
1.一種薄膜的制備方法，其特征在于，包括步驟：
提供納米金屬氧化物溶液；所述納米金屬氧化物溶液中納米金屬氧化物為用于電子傳輸的納米金屬氧化物；
向所述納米金屬氧化物溶液中加入有機雜環化合物，得到改性的納米金屬氧化物溶液；其中，所述有機雜環化合物選自含有噁唑、噁二唑、苯并噁唑、噻唑或噻二唑基團的化合物；將所述改性的納米金屬氧化物溶液制成薄膜，得到改性納米金屬氧化物薄膜。
2.根據權利要求1所述的薄膜的制備方法，其特征在于，所述納米金屬氧化物溶液中，納米金屬氧化物選自ZnO、TiO2、SnO2或ZrO2。
3.根據權利要求1所述的薄膜的制備方法，其特征在于，所述納米金屬氧化物溶液中，納米金屬氧化物的粒徑大小在0.45μm以下。
4.根據權利要求1所述的薄膜的制備方法，其特征在于，所述納米金屬氧化物溶液中，納米金屬氧化物的形狀選自納米微球、納米線、納米棒、納米錐和納米空心球中的一種或多種。
5.根據權利要求1所述的薄膜的制備方法，其特征在于，所述納米金屬氧化物溶液中，納米金屬氧化物的濃度為5～30mg/mL。
6.根據權利要求1所述的薄膜的制備方法，其特征在于，向所述納米金屬氧化物溶液中加入有機雜環化合物的步驟中，按所述有機雜環化合物與納米金屬氧化物的摩爾比為1:5～1:20，將所述有機雜環化合物與所述納米金屬氧化物溶液混合。
7.根據權利要求1所述的薄膜的制備方法，其特征在于，向所述納米金屬氧化物溶液中加入有機雜環化合物的步驟中，所述納米金屬氧化物溶液的溫度保持在50～100℃。
8.一種薄膜，其特征在于，所述薄膜的材料為改性納米金屬氧化物，所述改性納米金屬氧化物包括納米金屬氧化物和結合在所述納米金屬氧化物表面的有機雜環化合物；所述有機雜環化合物選自含有噁唑、噁二唑、苯并噁唑、噻唑或噻二唑基團的化合物。
9.根據權利要求8所述的薄膜，其特征在于，所述納米金屬氧化物選自ZnO、TiO2、SnO2或ZrO2。
10.一種QLED器件，包括電子傳輸層，其特征在于，所述電子傳輸層為權利要求1-7任一項所述制備方法制備的薄膜或權利要求8-9所述的薄膜。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于TCL科技集團股份有限公司，未經TCL科技集團股份有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.17sss.com.cn/pat/books/201711433803.6/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的，如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
