[發明專利]用于敏感元件的封裝的多層部件有效
| 申請號: | 201711429452.1 | 申請日: | 2012-04-06 |
| 公開(公告)號: | CN108258138B | 公開(公告)日: | 2021-04-09 |
| 發明(設計)人: | C·萊德爾;C·圖姆瑪澤特;M·派索恩 | 申請(專利權)人: | 美國圣戈班性能塑料公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L51/44;H01L51/00;G02B1/10;C03C17/42;G02B1/11;G02B1/16;H01L27/30;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人: | 林彥 |
| 地址: | 美國俄*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 敏感 元件 封裝 多層 部件 | ||
1.一種用于封裝對空氣和/或濕氣敏感的元件(12;13;313;314)的多層部件(11;111;211;311),所述多層部件包括有機聚合物層(1;101;201;304)和從所述聚合物層開始的至少兩個阻障堆疊(2;102;202,202’;302),所述至少兩個阻障堆疊由有機的或混合有機-無機中間層分開,
其中所述阻障堆疊的每一者由具有交替更低和更高的結晶度的三個相繼的層組成,具有更高結晶度的層的結晶度與具有更低結晶度的層的結晶度的比率大于或等于1.1;
其中所述阻障堆疊的每一者包括至少兩個非晶態的層;
其中所述至少兩個非晶態的層中的每一者具有至少20nm的幾何厚度,
其中所述三個相繼的層交替地處于非晶態和至少部分結晶態中,且
其中具有更高結晶度的層的體積結晶度與具有更低結晶度的層的體積結晶度之間的差異等于或大于10%,其中所述體積結晶度被定義為層中存在的結晶材料的體積與層中材料總體積的比率。
2.如權利要求1所述的多層部件,其中具有更高結晶度的層的結晶度與具有更低結晶度的層的結晶度的比率等于或大于1.5。
3.如權利要求1所述的多層部件,其中所述阻障堆疊的每個層都具有在5nm與200nm之間的幾何厚度。
4.如權利要求1所述的多層部件,其中所述阻障堆疊的每個層是金屬層、金屬氧化物層、金屬氮化物層或金屬氮氧化物層。
5.如權利要求1所述的多層部件,其中所述阻障堆疊的每個層是硅層、硅氧化物層、硅氮化物層或硅氮氧化物層。
6.根據權利要求4所述的多層部件,其中所述金屬層由選自由下所組成的群組的材料制成:Al、Sn、Zn、Zr、Ti、Hf、Bi、Ta以及其合金。
7.根據權利要求4所述的多層部件,其中所述金屬氧化物、所述金屬氮化物、或所述金屬氮氧化物包括來自由以下所組成的群組的氧化物、氮化物、或氮氧化物:Al、Sn、Zn、Zr、Ti、Hf、Bi、Ta以及其合金。
8.如權利要求1所述的多層部件,所述多層部件包括定位在所述聚合物層與所述阻障堆疊之間的有機或混合有機-無機界面層。
9.如權利要求1所述的多層部件,其中所述阻障堆疊的組成層具有交替更低和更高的折射率。
10.如權利要求1所述的多層部件,其中所述聚合物層以及每一個阻障堆疊是透明的。
11.如權利要求1所述的多層部件,所述多層部件包括與所述聚合物層的旨在被引導朝向所述敏感元件的那一面(1A;201A;304A)并排的至少一個阻障堆疊,和/或與所述聚合物層的旨在被引導遠離所述敏感元件的那一面(101B;201B)并排的至少一個阻障堆疊。
12.如權利要求1所述的多層部件,其中所述聚合物層(1;101;201)是襯底聚合物。
13.如權利要求1所述的多層部件,其中所述聚合物層(304)是聚合物層壓夾層。
14.一種包括對空氣和/或濕氣敏感的元件的器件,所述器件包括如權利要求1-13中任一項所述的多層部件作為用于所述敏感元件的前和/或后封裝材料。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





