[發明專利]氣體處理裝置和氣體處理方法在審
| 申請號: | 201711395621.4 | 申請日: | 2017-12-21 |
| 公開(公告)號: | CN108231626A | 公開(公告)日: | 2018-06-29 |
| 發明(設計)人: | 掛川崇;古屋雄一;鳥屋大輔 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;C23C16/455 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 | 代理人: | 龍淳;徐飛躍 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 氣體分散 氣體處理裝置 擴散空間 氣體擴散板 處理氣體 共用流路 氣體處理 中心部 基板 氣體排出口 方式配置 周向設置 均勻性 噴淋狀 流路 噴出 俯視 上游 配置 | ||
1.一種氣體處理裝置,其對真空氣氛的處理室內的基板供給處理氣體來進行處理,所述氣體處理裝置的特征在于,包括:
設置在所述處理室中的用于載置所述基板的載置部;
氣體擴散板,其構成位于所述載置部的上方側的頂部,形成有用于將所述處理氣體以噴淋狀噴出的多個氣體噴出孔;
多個氣體分散部,其在所述氣體擴散板的上方側設置在隔著所述處理氣體的擴散空間與所述氣體擴散板相對的相對部,且為了使所述處理氣體在橫向上分散于所述擴散空間中而沿周向分別形成有多個氣體排出口;和
所述處理氣體的流路,其上游側形成各所述氣體分散部共用的共用流路,中途分支成多個流路,下游側與各該氣體分散部連接,并且從所述共用流路至各氣體分散部的長度相互一致,
所述氣體分散部以如下布局配置:在俯視所述擴散空間時,所述氣體分散部沿著多個第一圓配置,且在每一個所述第一圓上以所述氣體分散部與所述擴散空間的中心部的距離相互不同的方式配置有多個,其中,所述多個第一圓的中心分別繞該擴散空間的中心部設置,且所述多個第一圓沿著所述擴散空間的周向配置。
2.如權利要求1所述的氣體處理裝置,其特征在于,還包括:
所述流路形成為從所述共用流路至所述氣體分散部以決定比賽的組合的圖線狀分階段地分支。
3.如權利要求1或2所述的氣體處理裝置,其特征在于:
沿一個所述第一圓配置3個以上的所述氣體分散部。
4.如權利要求1至3任一項所述的氣體處理裝置,其特征在于:
沿各第一圓配置的多個所述氣體分散部沿著中心位于所述擴散空間的中心部的第二圓配置。
5.如權利要求1至4任一項所述的氣體處理裝置,其特征在于:
所述氣體擴散板包括與所述載置臺的中心部相對的第一相對區域和與所述載置臺的周緣部相對的第二相對區域,
所述第一相對區域中的相鄰的所述氣體噴出孔彼此的間隔大于所述第二相對區域中的相鄰的所述氣體噴出孔彼此的間隔。
6.一種氣體處理方法,其對真空氣氛的處理室內的基板供給處理氣體來進行處理,所述氣體處理方法的特征在于,包括:
在設置于所述處理室中的載置部載置所述基板的步驟;
將所述處理氣體從形成于氣體擴散板的多個氣體噴出孔以噴淋狀噴出的步驟,其中,所述氣體擴散板構成位于所述載置部的上方側的頂部;
使所述處理氣體從多個氣體分散部在橫向上排出并分散于所述擴散空間中的步驟,其中,所述多個氣體分散部在所述氣體擴散板的上方側設置在隔著所述處理氣體的擴散空間與所述氣體擴散板相對的相對部,沿周向分別形成有多個氣體排出口;和
向流路供給所述處理氣體的步驟,其中,所述流路,其上游側形成各所述氣體分散部共用的共用流路,中途分支成多個流路,下游側與各該氣體分散部連接,并且從所述共用流路至各氣體分散部的長度相互一致,
所述氣體分散部以如下布局配置:在俯視所述擴散空間時,所述氣體分散部沿著多個圓配置,且在每一個所述圓上以所述氣體分散部與所述擴散空間的中心部的距離相互不同的方式配置有多個,其中,所述多個圓的中心分別繞該擴散空間的中心部設置,且所述多個圓沿著所述擴散空間的周向配置。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





