[發明專利]一種納米環的量子糾纏態獲取方法及其裝置有效
| 申請號： | 201711384946.2 | 申請日： | 2017-12-20 |
| 公開（公告）號： | CN108100992B | 公開（公告）日： | 2019-05-28 |
| 發明（設計）人： | 劉羽;朱紅;任丹琴;陳俊;崔坤磊 | 申請（專利權）人： | 鄭州云海信息技術有限公司 |
| 主分類號： | B82B3/00 | 分類號： | B82B3/00;B82Y10/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262 | 代理人： | 李紅爽;龍洪 |
| 地址： | 450018 河南省鄭州市*** | 國省代碼： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 納米環 自旋軌道耦合 量子糾纏態 電場 磁場 輸入磁場 調控 | ||
1.一種納米環的量子糾纏態獲取方法，包括獲取納米環；其特征在于，包括：
對所述納米環輸入電場和磁場，調控第一自旋軌道耦合和第二自旋軌道耦合，以產生量子糾纏態，所述第一自旋軌道耦合包括對所述納米環輸入所述電場獲取的自旋軌道耦合，所述第二自旋軌道耦合包括對所述納米環輸入磁場獲取的自旋軌道耦合。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述獲取納米環之后，還包括：
向所述納米環注入N個電子；
通過所述量子糾纏，獲得2N個自旋量子糾纏態，N為大于或等于1的整數。
3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述對所述納米環輸入電場和磁場，調控第一自旋軌道耦合和第二自旋軌道耦合，以產生量子糾纏態之后，還包括：
通過光吸收譜的信息，獲取所述納米環中自旋量子糾纏態的信息。
4.根據權利要求1-3任一項所述的方法，其特征在于，所述納米環包括砷化鎵/鋁砷化鎵(GaAs/AlGaAs)生成的量子阱。
5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述納米環的半徑為30納米。
6.一種納米環的量子糾纏態獲取裝置，其特征在于，包括：
獲取模塊，用于獲取納米環；
處理模塊，用于對所述納米環輸入電場和磁場，調控第一自旋軌道耦合和第二自旋軌道耦合，以產生量子糾纏態，所述第一自旋軌道耦合包括對所述納米環輸入所述電場獲取的自旋軌道耦合，所述第二自旋軌道耦合包括對所述納米環輸入磁場獲取的自旋軌道耦合。
7.根據權利要求6所述的裝置，其特征在于，所述處理模塊，還用于向所述納米環注入N個電子；通過所述量子糾纏，獲得2N個自旋量子糾纏態，N為大于或等于1的整數。
8.根據權利要求7所述的裝置，其特征在于，所述處理模塊，還用于通過光吸收譜的信息，獲取所述納米環中自旋量子糾纏態的信息。
9.根據權利要求6-8任一項所述的裝置，其特征在于，所述納米環包括砷化鎵/鋁砷化鎵(GaAs/AlGaAs)生成的量子阱。
10.根據權利要求9所述的裝置，其特征在于，所述納米環的半徑為30納米。
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