[發明專利]一種應用于升降壓電路的電流采樣電路及其控制方法有效
| 申請號: | 201711259934.7 | 申請日: | 2017-12-04 |
| 公開(公告)號: | CN107947578B | 公開(公告)日: | 2020-09-15 |
| 發明(設計)人: | 龔軍勇;張健 | 申請(專利權)人: | 成都芯源系統有限公司 |
| 主分類號: | H02M3/158 | 分類號: | H02M3/158;G01R19/25 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 611731 四川省成都市成都*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 應用于 升降 壓電 電流 采樣 電路 及其 控制 方法 | ||
本發明公開了一種應用于升降壓電路的電流采樣電路及其控制方法。所述升降壓電路包括參考地、第一MOS管(金屬氧化物半導體場效應晶體管)、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管和電感器,所述電流采樣電路包括第一電流采樣電路、第二電流采樣電路和電流處理電路,所述第一采樣電路用于采樣第一MOS管上流過的電流獲得第一采樣電流,所述第二采樣電路用于采樣第四MOS管上流過的電流獲得第二采樣電流,所述電流處理電路根據第一采樣電流和第二采樣電流產生第三采樣電流,其中第三采樣電流在一個電路工作周期內的平均值代表升降壓電路的輸出電流。與現有技術相比,本發明實現了芯片內部的電流采樣功能,減少了電源損耗和芯片引腳數,降低了系統的成本。
技術領域
本發明涉及電子電路,具體但不限于涉及應用于升降壓電路的電流采樣電路及其控制方法。
背景技術
為了采樣升降壓電路(Buck-Boost電路)的輸出電流信息,傳統的方法通常是串聯一個外部電阻進行電流采樣。如圖1所示為一個傳統Buck-Boost電路的電流采樣電路,包括第一MOS管(金屬氧化物半導體場效應晶體管)SWA、第二MOS管SWB、第三MOS管SWC、第四MOS管SWD、電感L和采樣電阻Rs,其中所述采樣電阻Rs與第四MOS管SWD的漏極耦接,通過獲取電阻Rs兩端的電壓Vs可以計算出電路的輸出電流Iout,但是這種采樣方法中的外部電阻Rs會增加電源損耗,并且電路芯片需要增加兩個采樣引腳以供電阻Rs的接入,這就增加了系統的成本。
發明內容
為了解決上述現有技術的一個或多個技術問題,本發明提出一種應用于升降壓電路的電流采樣電路及其控制方法。
根據本發明實施例的一種電源開關電路,包括:參考地,為電流采樣電路提供參考地;第一MOS管,具有源極、漏極和門極,所述漏極用于接收電路的輸入電壓,所述門極用于接收第一門極驅動信號;第二MOS管,具有源極、漏極和門極,所述第二MOS管的漏極耦接于第一MOS管的源極,所述第二MOS管的源極耦接于參考地,所述第二MOS管的門極用于接收第二門極驅動信號;第三MOS管,具有源極、漏極和門極,所述第三MOS管的源極耦接于參考地,所述第三MOS管的門極用于接收第三門極驅動信號;第四MOS管,具有源極、漏極和門極,所述第四MOS管的源極耦接于所述第三MOS管的漏極,所述第四MOS管的漏極用于輸出電路的輸出電壓,所述第四MOS管的門極用于接收第四門極驅動信號;電感器,具有第一端和第二端,所述第一端耦接于所述第一MOS管的源極與所述第二MOS管的漏極的共同端點,所述第二端耦接于所述第三MOS管的漏極與所述第四MOS管的源極的共同端點;電流采樣電路,耦接于第一MOS管和第四MOS管,用于采樣第一MOS管和第四MOS管上流過的電流,輸出代表第一MOS管上流過的電流的第一采樣電流和代表第四MOS管上流過的電流的第二采樣電流;以及電流處理電路,耦接于電流采樣電路,用于接收第一采樣電流和第二采樣電流,并根據第一采樣電流和第二采樣電流產生第三采樣電流,所述第三采樣電流在一個電路工作周期內的平均值代表電路的輸出電流。
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