[發明專利]基于化學腐蝕法制備大模場光纖F-P傳感器的方法在審
| 申請號： | 201711216270.6 | 申請日： | 2017-11-28 |
| 公開（公告）號： | CN108020248A | 公開（公告）日： | 2018-05-11 |
| 發明（設計）人： | 祝連慶;周康鵬;婁小平;董明利;陳少華;張雯;何巍 | 申請（專利權）人： | 北京信息科技大學 |
| 主分類號： | G01D5/353 | 分類號： | G01D5/353 |
| 代理公司： | 北京律恒立業知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 11416 | 代理人： | 顧珊;龐立巖 |
| 地址： | 100085 北京市海淀區清*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基于 化學 腐蝕 法制 備大模場 光纖 傳感器 方法 | ||
1.一種基于化學腐蝕法制備大模場光纖F-P傳感器的方法，包括以下步驟：
S1：將大模場光纖的一端去除涂覆層，經酒精擦拭后用切割刀將該端面切平，并粘貼在支架上；
S2：將上述切平的端面插入濃度為40％的氫氟酸溶液中腐蝕20min，所述被腐蝕的光纖端面形成凹槽；
S3：將腐蝕過的大模場光纖端面放入蒸餾水中浸泡稀釋，再將該大模場光纖放入超聲清洗機中清洗，去除殘留氫氟酸；
S4：采用熔接機將上述腐蝕好的大模場光纖端面與另一根端面切平的大模場光纖相對熔接，形成F-P腔結構，從而得到大模場光纖F-P傳感器。
2.根據權利要求1所述的制備大模場光纖F-P傳感器的方法，其特征在于，在S1中，所述大模場光纖的包層直徑為125μm，纖芯直徑為12μm。
3.根據權利要求1或2所述的制備大模場光纖F-P傳感器的方法，其特征在于，所述大模場光纖的型號為LSM-12大模場光纖。
4.根據權利要求1所述的制備大模場光纖F-P傳感器的方法，其特征在于，在S4中，所述光纖F-P腔為將腐蝕好的大模場光纖端面與另一根端面切平的大模場光纖相對熔接后形成的腔長為L的微腔，所述光纖F-P腔包括兩個反射端面，所述反射端面分別為被腐蝕好的大模場光纖端面形成的凹槽以及所述端面被切平的大模場光纖熔接時熔化形成的另一個凹槽，所述兩個反射端面可形成圓。
5.根據權利要求4所述的制備大模場光纖F-P傳感器的方法，其特征在于，當相干光束沿大模場光纖入射到所述F-P腔時，光在所述F-P腔的兩個反射端面反射后沿原路返回，并相遇而產生干涉。
6.根據權利要求1或4所述的制備大模場光纖F-P傳感器的方法，其特征在于，在S4中，所述大模場光纖通過電弧放電進行熔接，熔接機熔接時設置的放電參數為：清潔放電時間150ms，預熔功率為標準+10bit，預熔時間為270ms，放電功率為標準+10bit，放電時間為1500ms。
7.根據權利要求6所述的制備大模場光纖F-P傳感器的方法，其特征在于，在S4中，熔接成功后，可通過對大模場光纖熔接處連續放電做優化處理。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于北京信息科技大學，未經北京信息科技大學許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.17sss.com.cn/pat/books/201711216270.6/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
