[發明專利]晶體生長加熱系統在審
| 申請號： | 201711027501.9 | 申請日： | 2017-10-27 |
| 公開（公告）號： | CN109722715A | 公開（公告）日： | 2019-05-07 |
| 發明（設計）人： | 劉云俊 | 申請（專利權）人： | 江蘇維福特科技發展股份有限公司 |
| 主分類號： | C30B35/00 | 分類號： | C30B35/00 |
| 代理公司： | 江蘇銀創律師事務所 32242 | 代理人： | 王紀營 |
| 地址： | 224200 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 控制裝置 晶體生長環境 晶體生長 加熱系統 晶體生長過程 數據獲取裝置 數據終端處理 電子感應秤 晶體生長爐 溫度感應器 溫度控制器 壓力感應器 壓力控制器 工作效率 獲取裝置 晶體運動 數據終端 生產成本 | ||
1.晶體生長加熱系統，其特征在于：包括晶體生長爐內設置的晶體生長控制裝置，晶體生長控制裝置包括晶體生長環境數據獲取裝置、晶體生長環境控制裝置和數據終端處理裝置，所述晶體生長環境獲取裝置包括溫度感應器、壓力感應器和電子感應秤；所述晶體生長環境控制裝置包括壓力控制器、溫度控制器、PID控制裝置和晶體運動控制裝置；所述數據終端ARM控制器和PC機。
2.如權利要求1所述晶體生長加熱系統，其特征在于：所述壓力控制器包括壓力檢測控制電路、變頻器和機械泵，所述壓力檢測控制電路采集晶體生長爐內的壓力數據，并將該壓力數據傳送到 ARM 控制器，所述 ARM 控制器計算出控制量，并將該控制量傳送到 PC 機中，所述 PC 機通過調節變頻器的頻率控制機械泵的速度，從而調節晶體生長爐內的壓力。
3.如權利要求1所述晶體生長加熱系統，其特征在于：所述溫度控制器包括加熱裝置、第一控制器、側加熱裝置、第二控制器組成、溫度檢測控制電路和 D/A 模塊，所述溫度檢測控制電路采集晶體生長爐內的溫度值，并將該溫度值傳送到 ARM 控制器，所述 ARM 控制器計算出輸出值，并通過 D/A 模塊控制第一控制器和第二控制器對加熱裝置和側加熱裝置電源的功率輸出值。
4.如權利要求1所述晶體生長加熱系統，其特征在于：所述 ARM 控制器計 算控制量的計算過程包括 ：將采集的爐內壓力與設定壓力做對比，計算兩壓力值間的差值， 經過 PID算法，計算出控制量 ；所述 ARM 控制器將該控制量傳送到 PC 機，PC 機通過 RS-485 接口與變頻器通信，調節變頻器的頻率，控制機械泵的抽速，來調節爐內壓力，其中變頻器 與PC 機的通信采用 USS 協議。
5.如權利要求1所述晶體生長加熱系統，其特征在于：所述ARM控制器計算輸出值的計算過程包括 ：將采集晶體生長爐內的溫度值和設定爐內溫度做對比，計算出溫度間的偏差值，經過 PID 算法，計算出輸出值 ；所述 ARM 控制器通過 D/A 模塊控制功率的輸出值。
6.如權利要求1所述晶體生長加熱系統，其特征在于：所述運動控制器包括 ：兩個光電脈沖發生器，和由所述的兩個光電脈沖發生器分別控制的兩個步進電機，其中一個所述步進電機控制加熱線圈的升降，另一個所述步進電機控制坩堝軸的升降。
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