[發明專利]一種基于納米NiO/AlGaN異質結構的倒置式快速紫外光響應器件及制備方法在審
| 申請號: | 201710802973.0 | 申請日: | 2017-09-08 |
| 公開(公告)號: | CN107799624A | 公開(公告)日: | 2018-03-13 |
| 發明(設計)人: | 于乃森;陳向豐;齊巖;董大朋;趙海燕 | 申請(專利權)人: | 大連民族大學 |
| 主分類號: | H01L31/109 | 分類號: | H01L31/109;H01L31/101;H01L31/18 |
| 代理公司: | 大連一通專利代理事務所(普通合伙)21233 | 代理人: | 郭麗華 |
| 地址: | 116000 遼*** | 國省代碼: | 遼寧;21 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 基于 納米 nio algan 結構 倒置 快速 紫外光 響應 器件 制備 方法 | ||
1.一種基于納米NiO/AlGaN異質結構的倒置式快速紫外光響應器件,其特征在于:其包括藍寶石基底層、納米NiO/AlGaN異質結構層和透明電極層。
2.根據權利要求1所述的基于納米NiO/AlGaN異質結構的倒置式快速紫外光響應器件,其特征在于:基底層為藍寶石襯底;納米NiO/AlGaN異質結構層包括AlN高溫緩沖層、n-AlGaN薄膜層、NiO籽晶層及納米NiO片狀結構層;透明接觸電極層是具有0.1cm溝道并鍍有ITO透明電極的玻璃基片層。
3.根據權利要求1所述的基于納米NiO/AlGaN異質結構的倒置式紫外光響應器件,其特征在于:該納米NiO/AlGaN異質結構層中,異質結構為在n-AlGaN薄膜表面生長的納米NiO片狀結構層。
4.權利要求1的基于納米NiO/AlGaN異質結構的倒置式紫外光響應器件的制備方法,其特征在于:
①采用低壓有機化學氣相沉積方法,并在設備上配有原位反射監視儀,以(0001)晶向藍寶石為襯底,首先將反應室溫度升高到1200℃,通入氫氣處理10分鐘,隨后將反應室溫度降至900℃,依次生長AlN高溫緩沖層,厚度為200nm及n-AlGaN薄膜層,其厚度為500nm,以三甲基鎵(TMGa)和三甲基鋁(TMAl)為鎵源和鋁源,以NH3作為氮源,n型摻雜劑采用硅烷(SiH4),生長溫度為1000℃;
②將50mM乙酸鎳溶于乙醇,制得籽晶溶液;將生長的n-AlGaN襯底置于旋涂機上,將配置好的籽晶溶液滴于表面,靜置5分鐘按照2500轉/分轉速進行旋涂,旋涂時間為5min,隨后將生長有籽晶的襯底置于快速加熱臺,在200℃條件下快速加熱15分鐘后,隨后自然冷卻到室溫;
③將0.85g硝酸鎳和0.70g六次甲基四胺溶于100mL水,快速攪拌均勻,制得反應溶液;
④將步驟②生長有NiO籽晶層的n-AlGaN薄膜襯底片浸入步驟③混合溶液中,于90℃溫度反應5小時,反應結束取出在NiO籽晶層生長有NiO納米片狀結構層的AlGaN薄膜襯底片,并用水洗滌、干燥;
⑤將具有0.1cm溝道并鍍有ITO透明電極的玻璃基片,貼于步驟④所得NiO納米片狀結構層表面,并加以固定。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于大連民族大學,未經大連民族大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.17sss.com.cn/pat/books/201710802973.0/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





