[發明專利]一種半導體晶圓的最終拋光機以及最終拋光及清洗方法在審
| 申請號： | 201710639489.0 | 申請日： | 2017-07-31 |
| 公開（公告）號： | CN109318114A | 公開（公告）日： | 2019-02-12 |
| 發明（設計）人： | 趙厚瑩 | 申請（專利權）人： | 上海新昇半導體科技有限公司 |
| 主分類號： | B24B37/04 | 分類號： | B24B37/04;B24B37/34;B24B27/00;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市磐華律師事務所 11336 | 代理人： | 高偉;張建 |
| 地址： | 201306 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 清洗 最終拋光 拋光機 半導體晶圓 氧化液 溢流槽 脫機 氧化劑 清洗操作 便利性 拋光臺 清洗液 晶圓 配置 | ||
1.一種半導體晶圓的最終拋光機，其特征在于，包括：至少兩個拋光臺，以及氧化液溢流槽，所述氧化液溢流槽配置為使用包括氧化劑的清洗液對晶圓進行溢流式清洗。
2.根據權利要求1所述的最終拋光機，其特征在于，所述拋光臺的數量為三個。
3.根據權利要求1所述的最終拋光機，其特征在于，所述氧化液溢流槽包括：
內槽，所述內槽配置有晶圓固定器，并通入包括氧化劑的清洗液，以對所述晶圓進行溢流式清洗；
中槽，所述中槽位于所述內槽外部，并包圍所述內槽，用于容納從所述內槽溢流出的所述清洗液；
外槽，所述外槽位于中槽外部，并包圍所述中槽，用于容納從所述中槽排出的所述清洗液。
4.根據權利要求3所述的最終拋光機，其特征在于，所述包括氧化劑的清洗液為臭氧水，所述內槽配置為與氧臭水發生器連通，以獲得臭氧水。
5.根據權利要求1-4中的任意一項所述的最終拋光機，其特征在于，還包括：
去離子水溢流槽，所述去離子水溢流槽中配置有晶圓卸載盒。
6.根據權利要求1-4中的任意一項所述的最終拋光機，其特征在于，還包括：
裝載臺，所述裝載臺上配置有晶圓裝載盒；
晶圓轉換臺，所述晶圓轉換臺用于放置晶圓。
7.一種半導體晶圓的最終拋光及清洗的方法，所述方法使用最終拋光機，所述最終拋光機包括第一拋光臺、第二拋光臺、第三拋光臺、氧化液溢流槽以及去離子水溢流槽，其特征在于，該方法包括：
在所述最終拋光機的第一拋光臺上使用粗拋光墊與粗拋光液對晶圓進行粗拋；
在所述最終拋光機的第二拋光臺上使用精拋光墊與精拋光液對晶圓進行精拋
在所述最終拋光機的第三拋光臺上使用精拋光墊與表面活性劑對晶圓進行終拋；
在所述氧化液溢流槽中對所述晶圓進行清洗。
8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述氧化液溢流槽通有臭氧水。
9.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述表面活性劑為非離子型表面活性劑。
10.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，還包括：
在所述最終拋光機的去離子水溢流槽中對所述晶圓進行去離子水清洗。
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