[發明專利]制備BiGaO3薄膜材料的反應裝置在審
| 申請號: | 201710579314.5 | 申請日: | 2015-11-11 |
| 公開(公告)號: | CN107475687A | 公開(公告)日: | 2017-12-15 |
| 發明(設計)人: | 尹海宏;王志亮;宋長青 | 申請(專利權)人: | 南通大學 |
| 主分類號: | C23C16/40 | 分類號: | C23C16/40;C23C16/52 |
| 代理公司: | 南京同澤專利事務所(特殊普通合伙)32245 | 代理人: | 蔡晶晶 |
| 地址: | 226019 *** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 制備 bigao3 薄膜 材料 反應 裝置 | ||
1.一種制備BiGaO3薄膜材料的反應裝置,其特征在于:
反應裝置包括有鉍前驅體源容器1、鉍前驅體管路手動閥K1、鉍前驅體管路自動閥AK1、鉍前驅體載氣管路質量流量控制器MFC1、鎵前驅體源容器2、鎵前驅體管路手動閥K2、鎵前驅體管路自動閥AK2、鎵前驅體載氣管路質量流量控制器MFC2、氧前驅體源容器3、氧前驅體管路手動閥K3、氧前驅體管路自動閥AK3、氧前驅體載氣管路質量流量控制器MFC3、惰性氣體源容器4、惰性氣體管路手動閥K4、真空反應腔、真空泵、真空泵進氣口自動閥門AK4、設備控制器,真空反應腔中設有電加熱器和溫度傳感器,設備控制器可以是PLC、單片機系統、計算機或專門設計的電路系統;鉍前驅體源1、鎵前驅體源2、氧前驅體源3的容器均設有電加熱器和半導體制冷器;由設備控制器控制鉍前驅體源1、鎵前驅體源2、氧前驅體源3的容器的電加熱器和半導體制冷器的工作狀態,以使鉍前驅體源1、鎵前驅體源2、氧前驅體源3的溫度恒定在設定的溫度值;
鉍前驅體源容器1的出口通過氣體管路依次連接到鉍前驅體管路手動閥K1、鉍前驅體管路自動閥AK1、真空反應腔,鎵前驅體源2的出口通過氣體管路依次連接到鎵前驅體管路手動閥K2、鎵前驅體管路自動閥AK2、真空反應腔,氧前驅體源容器3的出口通過氣體管路依次連接到氧前驅體管路手動閥K3、氧前驅體管路自動閥AK3、真空反應腔,惰性氣體源4的出口通過氣體管路連接到惰性氣體管路手動閥K4,再通過分支管路分別連接到鉍前驅體載氣管路質量流量控制器MFC1、鎵前驅體載氣管路質量流量控制器MFC2、氧前驅體載氣管路質量流量控制器MFC3,鉍前驅體載氣管路質量流量控制器MFC1的出口通過三通連接件連接在鉍前驅體管路自動閥AK1與真空反應腔之間的氣體管路上,鎵前驅體載氣管路質量流量控制器MFC2的出口通過三通連接件連接在鎵前驅體管路自動閥AK2與真空反應腔之間的氣體管路上,氧前驅體載氣管路質量流量控制器MFC3的出口通過三通連接件連接在鉍前驅體管路自動閥AK3與真空反應腔之間的氣體管路上,真空反應腔的出口通過管路依次連接到真空泵進氣口自動閥門AK4、真空泵的進氣口;
鉍前驅體源容器1、鉍前驅體管路自動閥AK1、鉍前驅體載氣管路質量流量控制器MFC1、鎵前驅體源容器2、鎵前驅體管路自動閥AK2、鎵前驅體載氣管路質量流量控制器MFC2、氧前驅體源容器3、氧前驅體管路自動閥AK3、氧前驅體載氣管路質量流量控制器MFC3、真空反應腔、真空泵、真空泵進氣口自動閥門AK4、真空反應腔中的電加熱器、溫度傳感器、所述容器的電加熱器和半導體制冷器均通過電纜連接到設備控制器均通過電纜連接到設備控制器,由設備控制器集中控制各自的工作狀態;
溫度傳感器的采集數據通過電纜傳輸給設備控制器。
2.一種如權利要求1所述的反應裝置,其特征在于:鉍前驅體管路手動閥K1、鎵前驅體管路手動閥K2、氧前驅體管路手動閥K3、惰性氣體管路手動閥K4均由操作人員手動打開,不受控制器所控制,可以確保安全。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





