[發(fā)明專利]存儲器存儲裝置及其測試方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710498769.4 | 申請日： | 2017-06-27 |
| 公開（公告）號： | CN109147860B | 公開（公告）日： | 2020-11-17 |
| 發(fā)明（設計）人： | 周詮勝;林孟弘;吳伯倫;何家驊 | 申請（專利權）人： | 華邦電子股份有限公司 |
| 主分類號： | G11C29/56 | 分類號： | G11C29/56 |
| 代理公司： | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人： | 馬雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中國臺灣臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 存儲器 存儲 裝置 及其 測試 方法 | ||
1.一種存儲器存儲裝置，其特征在于，包括：
存儲器晶胞陣列，包括多個存儲器晶胞，用以存儲數據；以及
存儲器控制電路，耦接至所述存儲器晶胞陣列，用以對所述多個存儲器晶胞當中的目標存儲器晶胞施加設定信號以及重置信號兩者其中之一以產生第一讀取電流，然后對所述多個存儲器晶胞當中的所述目標存儲器晶胞施加設定信號以及重置信號兩者中的另外一者以產生第二讀取電流，接收所述目標存儲器晶胞的所述第一讀取電流以及所述第二讀取電流，比較所述第一讀取電流與第一參考電流以及比較所述第二讀取電流與第二參考電流以產生比較結果，并且依據所述比較結果來判斷所述目標存儲器晶胞是否失敗。
2.根據權利要求1所述的存儲器存儲裝置，其特征在于，所述存儲器控制電路判斷所述目標存儲器晶胞的狀態(tài)是第一狀態(tài)還是第二狀態(tài)。
3.根據權利要求2所述的存儲器存儲裝置，其特征在于，若所述目標存儲器晶胞的狀態(tài)是所述第一狀態(tài)，所述存儲器控制電路對所述目標存儲器晶胞施加所述設定信號，并且所述目標存儲器晶胞從所述第一狀態(tài)轉變?yōu)樗龅诙顟B(tài)，其中所述第一讀取電流具有第一讀取電流值，所述第一參考電流具有第一參考電流值，所述存儲器控制電路比較所述第一讀取電流值與所述第一參考電流值的大小，若所述第一讀取電流值小于所述第一參考電流值，所述存儲器控制電路判斷所述目標存儲器晶胞為失敗。
4.根據權利要求3所述的存儲器存儲裝置，其特征在于，若所述第一讀取電流值大于或等于所述第一參考電流值，所述存儲器控制電路判斷所述目標存儲器晶胞為不失敗。
5.根據權利要求3所述的存儲器存儲裝置，其特征在于，若所述第一讀取電流值大于或等于所述第一參考電流值，所述存儲器控制電路對所述目標存儲器晶胞施加所述重置信號，并且所述目標存儲器晶胞從所述第二狀態(tài)轉變?yōu)樗龅谝粻顟B(tài)，其中所述第二讀取電流具有第二讀取電流值，所述第二參考電流具有第二參考電流值，所述存儲器控制電路比較所述第二讀取電流值與所述第二參考電流值的大小，若所述第二讀取電流值大于所述第二參考電流值，所述存儲器控制電路判斷所述目標存儲器晶胞為失敗，若所述第二讀取電流值小于或等于所述第二參考電流值，所述存儲器控制電路判斷所述目標存儲器晶胞為不失敗。
6.根據權利要求2所述的存儲器存儲裝置，其特征在于，若所述目標存儲器晶胞的狀態(tài)是所述第二狀態(tài)，所述存儲器控制電路對所述目標存儲器晶胞施加所述重置信號，并且所述目標存儲器晶胞從所述第二狀態(tài)轉變?yōu)樗龅谝粻顟B(tài)，其中所述第一讀取電流具有第二讀取電流值，所述第一參考電流具有第二參考電流值，所述存儲器控制電路比較所述第二讀取電流值與所述第二參考電流值的大小，若所述第二讀取電流值大于所述第二參考電流值，所述存儲器控制電路判斷所述目標存儲器晶胞為失敗。
7.根據權利要求6所述的存儲器存儲裝置，其特征在于，若所述第二讀取電流值小于或等于所述第二參考電流值，所述存儲器控制電路判斷所述目標存儲器晶胞為不失敗。
8.根據權利要求6所述的存儲器存儲裝置，其特征在于，若所述第二讀取電流值小于或等于所述第二參考電流值，所述存儲器控制電路對所述目標存儲器晶胞施加所述設定信號，并且所述目標存儲器晶胞從所述第一狀態(tài)轉變?yōu)樗龅诙顟B(tài)，其中所述第二讀取電流具有第一讀取電流值，其中所述第二參考電流具有第一參考電流值，所述存儲器控制電路比較所述第一讀取電流值與所述第一參考電流值的大小，若所述第一讀取電流值小于所述第一參考電流值，所述存儲器控制電路判斷所述目標存儲器晶胞為失敗，若所述第一讀取電流值大于或等于所述第一參考電流值，所述存儲器控制電路判斷所述目標存儲器晶胞為不失敗。
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