[發明專利]存儲器系統及其操作方法有效
| 申請號： | 201710446458.3 | 申請日： | 2017-06-14 |
| 公開（公告）號： | CN107527652B | 公開（公告）日： | 2020-05-12 |
| 發明（設計）人： | 謝明輝;連存德;林紀舜 | 申請（專利權）人： | 華邦電子股份有限公司 |
| 主分類號： | G11C13/00 | 分類號： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人： | 馬雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中國臺灣臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 存儲器 系統 及其 操作方法 | ||
1.一種存儲器系統，其特征在于，包括：
非易失性存儲器陣列，包括多個存儲單元，用以存儲數據；以及
存儲器控制器，耦接所述非易失性存儲器陣列，被配置為：
提供預設寫入操作，在電路板裝設操作施加前寫入數據至所述非易失性存儲器陣列；以及
提供正常寫入操作，在所述電路板裝設操作施加后寫入數據至所述非易失性存儲器陣列，
其中由所述預設寫入操作提供的讀取邊限大于由所述正常寫入操作提供的讀取邊限。
2.根據權利要求1所述的存儲器系統，其特征在于，所述存儲器控制器還被配置為：
在提供所述預設寫入操作后且提供所述正常寫入操作前，檢測所述多個存儲單元中被選定的部份是否從第一阻抗狀態切換至第二阻抗狀態，當所述多個存儲單元中被選定的所述部份轉換到所述第二阻抗狀態的數量大于臨界數量時，禁能所述預設寫入操作并切換至所述正常寫入操作。
3.根據權利要求1所述的存儲器系統，其特征在于，所述非易失性存儲器陣列包括相變化隨機存取存儲器、電阻式隨機存取存儲器或導電橋接隨機存取存儲器。
4.根據權利要求1所述的存儲器系統，其特征在于，所述預設寫入操作的溫度范圍和/或供應電壓范圍窄于所述正常寫入操作的溫度范圍和/或供應電壓范圍。
5.根據權利要求1所述的存儲器系統，其特征在于，通過在預定周期中檢測指示信號來自動選擇所述預設寫入操作或所述正常寫入操作，所述指示信號用以指示已經歷電路板裝設熱循環。
6.根據權利要求1所述的存儲器系統，其特征在于，還包括外部接墊，其中所述存儲器控制器還被配置為檢測所述外部接墊的狀態以決定所述預設寫入操作。
7.根據權利要求1所述的存儲器系統，其特征在于，所述預設寫入操作與所述正常寫入操作的寫入算法的差異包括用于不同寫入狀態的不同寫入電壓位準、不同寫入限制電流限度、不同寫入脈沖寬度、不同寫入脈沖數目或不同驗證邊限。
8.一種存儲器系統的操作方法，其特征在于，包括：
在電路板裝設操作施加前，提供預設寫入操作以寫入數據至非易失性存儲器陣列的多個存儲單元；以及
在所述電路板裝設操作施加后，提供正常寫入操作以寫入數據至所述非易失性存儲器陣列的所述多個存儲單元，
其中由所述預設寫入操作提供的讀取邊限大于由所述正常寫入操作提供的讀取邊限。
9.根據權利要求8所述的存儲器系統的操作方法，其特征在于，在提供所述預設寫入操作后且提供所述正常寫入操作前還包括：
檢測所述多個存儲單元中被選定的部份是否從第一阻抗狀態切換至第二阻抗狀態，當所述多個存儲單元中被選定的所述部份轉換到所述第二阻抗狀態的數量大于臨界數量時，禁能所述預設寫入操作并切換至所述正常寫入操作。
10.根據權利要求8所述的存儲器系統的操作方法，其特征在于，所述預設寫入操作的溫度范圍和/或供應電壓范圍窄于所述正常寫入操作溫度范圍和/或供應電壓范圍。
11.根據權利要求8所述的存儲器系統的操作方法，其特征在于，還包括：
通過在預定周期中檢測指示信號來自動選擇所述預設寫入操作或所述正常寫入操作，所述指示信號用以指示已經歷電路板裝設熱循環。
12.根據權利要求8所述的存儲器系統的操作方法，其特征在于，所述預設寫入操作通過所述存儲器系統的外部接墊狀態來決定。
13.根據權利要求8所述的存儲器系統的操作方法，其特征在于，所述預設寫入操作與所述正常寫入操作的寫入算法的差異包括用于不同寫入狀態的不同寫入電壓位準、不同寫入限制電流限度、不同寫入脈沖寬度、不同多重寫入脈沖數目或不同驗證邊限。
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