1.一種LED氮化鎵襯底，其特征在于，包括LED氮化鎵襯底(1)，所述LED氮化鎵襯底(1)由下至上包括下碳化硅層(6)、金屬層(9)、上碳化硅層(8)和氮化鎵層(7)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED氮化鎵襯底，其特征在于，所述氮化鎵層(7)的厚度為金屬層(9)的8-12倍。

3.一種如權(quán)利要求1-2任一所述的LED氮化鎵襯底的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟一、將下碳化硅層(6)和上碳化硅層(8)各濺射一層金屬層(9),熔融鍵合在一起；

步驟二、將粘接在一起的下碳化硅層(6)和上碳化硅層(8)中的上碳化硅層(8)用機(jī)械拋磨的方法減薄至20-150微米后拋光，并進(jìn)行清洗，以上碳化硅層(8)做異質(zhì)襯底；

步驟三、將減薄后的上碳化硅層(8)連同與其粘接在一起的下碳化硅層(6)基底放入HVPE外延爐中，升溫至1020-1500℃，生長(zhǎng)氮化鎵層(7)；

步驟四、生長(zhǎng)氮化鎵層(7)結(jié)束后，降溫至200-450℃，保持30-45min，繼續(xù)降溫至100-150℃，保持15-20min，然后降低至室溫，即獲得LED氮化鎵襯底(1)。

4.根據(jù)采用權(quán)利要求3所述的LED氮化鎵襯底的制備方法，其特征在于，所述氮化鎵層(7)厚度為上碳化硅層(8)厚度的4-6倍。

5.根據(jù)采用權(quán)利要求3所述的LED氮化鎵襯底的制備方法，其特征在于，所述金屬層(9)為A1、Cu、In、Sn或Au層。

6.一種采用權(quán)利要求1-2任一所述的LED氮化鎵襯底用于制備LED芯片。

7.根據(jù)采用權(quán)利要求6所述的LED氮化鎵襯底制備的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片包括LED氮化鎵襯底(1)、第二電極(2)、氮化硼層(3)、石墨烯層(4)和第一電極(5)；第一電極(5)設(shè)置在LED氮化鎵襯底(1)上，第二電極(2)設(shè)置在石墨烯層(4)上。