[發(fā)明專利]一種發(fā)光二極管的外延片及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710388642.7 | 申請日： | 2017-05-27 |
| 公開（公告）號： | CN107170860B | 公開（公告）日： | 2020-03-27 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 武艷萍 | 申請（專利權(quán)）人： | 華燦光電（浙江）有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京三高永信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金華市義*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 發(fā)光二極管 外延 及其 制備 方法 | ||
1.一種發(fā)光二極管的外延片，所述外延片包括襯底以及依次層疊在所述襯底上的緩沖層、成核層、未摻雜氮化鎵層、N型氮化鎵層、多量子阱層和P型氮化鎵層，其特征在于，所述外延片還包括應(yīng)力釋放層，所述應(yīng)力釋放層包括至少一個第一子層，所述第一子層包括未摻雜的氮化鎵層和P型摻雜的氮化鎵層，所述應(yīng)力釋放層中P型摻雜劑的摻雜濃度低于所述P型氮化鎵層中P型摻雜劑的摻雜濃度，所述應(yīng)力釋放層中P型摻雜劑的摻雜濃度為P型摻雜劑在所述應(yīng)力釋放層中平均的摻雜濃度，所述應(yīng)力釋放層層疊在所述成核層中，或者所述應(yīng)力釋放層層疊在所述成核層和所述未摻雜氮化鎵層之間，或者所述應(yīng)力釋放層層疊在所述未摻雜氮化鎵層中，或者所述應(yīng)力釋放層疊在所述未摻雜氮化鎵層和所述N型氮化鎵層之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外延片，其特征在于，當所述應(yīng)力釋放層層疊在所述成核層中時，或者當所述應(yīng)力釋放層層疊在所述成核層和所述未摻雜氮化鎵層之間時，所述第一子層的數(shù)量為1～5個；
當所述應(yīng)力釋放層層疊在所述未摻雜氮化鎵層中時，或者當所述應(yīng)力釋放層疊在所述未摻雜氮化鎵層和所述N型氮化鎵層之間時，所述第一子層的數(shù)量為2～10個。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外延片，其特征在于，當所述應(yīng)力釋放層層疊在所述成核層中時，或者當所述應(yīng)力釋放層層疊在所述成核層和所述未摻雜氮化鎵層之間時，各個所述第一子層的厚度為30～50nm；
當所述應(yīng)力釋放層層疊在所述未摻雜氮化鎵層中時，或者當所述應(yīng)力釋放層疊在所述未摻雜氮化鎵層和所述N型氮化鎵層之間時，各個所述第一子層的厚度為30～60nm。
4.一種如權(quán)利要求1～3任一項所述的外延片的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：
提供一襯底；
在所述襯底上依次生長緩沖層、成核層、未摻雜氮化鎵層、N型氮化鎵層、多量子阱層和P型氮化鎵層，并在所述成核層和所述未摻雜氮化鎵層的生長過程中生長應(yīng)力釋放層，所述應(yīng)力釋放層層疊在所述成核層中，或者所述應(yīng)力釋放層層疊在所述成核層和所述未摻雜氮化鎵層之間，或者所述應(yīng)力釋放層層疊在所述未摻雜氮化鎵層中，或者所述應(yīng)力釋放層疊在所述未摻雜氮化鎵層和所述N型氮化鎵層之間；所述應(yīng)力釋放層包括至少一個第一子層，所述第一子層包括未摻雜的氮化鎵層和P型摻雜的氮化鎵層，所述應(yīng)力釋放層中P型摻雜劑的摻雜濃度低于所述P型氮化鎵層中P型摻雜劑的摻雜濃度，所述應(yīng)力釋放層中P型摻雜劑的摻雜濃度為P型摻雜劑在所述應(yīng)力釋放層中平均的摻雜濃度，所述應(yīng)力釋放層的生長溫度為880℃～1080℃。
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