6.一種制作權利要求1至5任一項所述的三維電聚焦微流體芯片的制作方法，其特征在于,包括以下步驟：

使用氣路液路層掩膜版和氣路層掩膜版進行模具制作；

其中，氣路液路層掩膜版的透光區域包括對應于氣路流道和氣路儲存池、液路流道和液路儲存池的區域，用于在對硅基片上的光刻膠曝光過程中定義氣路流道和氣路儲存池、液路流道和液路儲存池；氣路層掩膜版的透光區域包括對應于氣路流道和氣路儲存池的區域，用于在對硅基片上的光刻膠曝光過程中定義氣路流道和氣路儲存池；

模具制作過程中，在第一硅基片上甩最底層光刻膠后，通過氣路液路層掩膜版對最底層光刻膠曝光，顯影后形成氣路液路層；再在第一硅基片上甩上層光刻膠后，通過氣路層掩膜版對上層光刻膠曝光，顯影后形成氣路層，以用來加深第一次曝光形成的氣路流道，由此制作出對應于形成PDMS結構層的模具；再對第二硅基片重復上述過程，或者，對第二硅基片僅進行針對氣路層掩膜版的甩膠、曝光、顯影過程，由此制作出對應于形成PDMS襯底層的模具；

然后，使用相應模具分別成型出PDMS結構層和PDMS襯底層；

再后，將PDMS結構層和PDMS襯底層對齊，鍵合形成一塊完整的三維聚焦微流體芯片；

氣路液路層掩膜版和氣路層掩膜版均含有對齊結構，用于曝光時將光刻膠形成的已有結構與在后使用的掩膜版對齊。