[發明專利]脊狀發光二極管在審
| 申請號： | 201710347986.3 | 申請日： | 2017-05-17 |
| 公開（公告）號： | CN107275453A | 公開（公告）日： | 2017-10-20 |
| 發明（設計）人： | 冉文方 | 申請（專利權）人： | 西安科銳盛創新科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/20 | 分類號： | H01L33/20 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 710065 陜西省西安市高新區高新路86號*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 發光二極管 | ||
1.一種脊狀發光二極管，其特征在于，包括：SOI襯底層、晶化Ge層、脊狀Ge-Sn合金層、N型Ge-Sn合金層、P型Ge-Sn合金層，其中：
所述晶化Ge層位于所述SOI襯底層之上；
所述脊狀Ge-Sn合金層位于所述晶化Ge層表面之上中間位置；
所述N型Ge-Sn合金層和所述P型Ge-Sn合金層位于所述晶化Ge層表面之上所述脊狀Ge-Sn合金層兩側。
2.根據權利要求1所述的二極管，其特征在于，所述晶化Ge層為經過LRC工藝形成的Ge層。
3.根據權利要求2所述的二極管，其特征在于，所述LRC工藝的參數中激光參數為：激光波長為808nm，激光光斑尺寸為10mm×1mm，激光功率為1.5kW/cm2，激光移動速度為25mm/s。
4.根據權利要求1所述的二極管，其特征在于，所述發光二極管還包括鈍化層，所述鈍化層位于所述N型Ge-Sn合金層、所述脊狀Ge-Sn合金層、所述P型Ge-Sn合金層之上。
5.根據權利要求4所述的二極管，其特征在于，所述鈍化層的材料為SiO2。
6.根據權利要求1所述的二極管，其特征在于，所述發光二極管還包括第一電極和第二電極，其中：
所述第一電極，位于所述N型Ge-Sn合金層之上；
所述第二電極，位于所述P型Ge-Sn合金層之上。
7.根據權利要求6所述的二極管，其特征在于，所述第一電極和所述第二電極的材料為Cr-Au合金。
8.根據權利要求1所述的二極管，其特征在于，所述N型Ge-Sn合金層的摻雜濃度為1×1019cm-3。
9.根據權利要求1所述的二極管，其特征在于，所述P型Ge-Sn合金層的摻雜濃度為1×1019cm-3。
10.根據權利要求1所述的二極管，其特征在于，所述脊狀Ge-Sn合金層厚度為150～200nm，摻Sn組分為8％，摻Ge組分為92％。
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