技術(shù)領(lǐng)域

示例實(shí)施方式涉及半導(dǎo)體器件。例如，至少一些示例實(shí)施方式涉及在柵結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上包括間隔物的半導(dǎo)體器件。

背景技術(shù)

鰭型FET在柵結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上可以具有間隔物，并且該間隔物可以包括氮化物，例如硅氮化物。硅氮化物可以具有高介電常數(shù)和低帶隙能量，并且因此可以易于泄漏電流。

發(fā)明內(nèi)容

示例實(shí)施方式提供具有優(yōu)良特性的半導(dǎo)體器件。

根據(jù)示例實(shí)施方式，提供一種半導(dǎo)體器件。該半導(dǎo)體器件可以包括：在襯底上的有源鰭；在有源鰭上的柵結(jié)構(gòu)；直接在柵結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上的柵間隔物結(jié)構(gòu)，該柵間隔物結(jié)構(gòu)包括順序堆疊的硅碳氮氧化物(SiOCN)圖案和二氧化硅(SiO₂)圖案；以及源極/漏極層，其在有源鰭的與柵間隔物結(jié)構(gòu)相鄰的部分上。

根據(jù)示例實(shí)施方式，提供一種半導(dǎo)體器件。該半導(dǎo)體器件可以包括：在襯底上的有源鰭；在有源鰭上的柵結(jié)構(gòu)；柵間隔物結(jié)構(gòu)，其在有源鰭上使得柵間隔物結(jié)構(gòu)覆蓋柵結(jié)構(gòu)的側(cè)壁；以及源極/漏極層，其在有源鰭的與柵間隔物結(jié)構(gòu)相鄰的部分上。柵間隔物結(jié)構(gòu)可以包括：在有源鰭上的防擴(kuò)散圖案；在防擴(kuò)散圖案上的硅碳氮氧化物圖案，硅碳氮氧化物圖案包括沿一方向截取的具有L狀形狀的剖面；在硅碳氮氧化物圖案上的防釋氣圖案(outgassing prevention pattern)，防釋氣圖案包括沿所述方向截取的具有L狀形狀的剖面；以及在防釋氣圖案上的補(bǔ)償圖案(offset pattern)。

根據(jù)示例實(shí)施方式，提供一種半導(dǎo)體器件。該半導(dǎo)體器件可以包括：襯底；從襯底的上表面突出的有源區(qū)域；以及在柵極的側(cè)壁上的柵間隔物，柵間隔物為包括具有二氧化硅的補(bǔ)償圖案的多層結(jié)構(gòu)。

在根據(jù)示例實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件中，柵間隔物結(jié)構(gòu)可以包括補(bǔ)償圖案，補(bǔ)償圖案具有比硅氮化物或硅碳氮氧化物的介電常數(shù)更低的介電常數(shù)，并且具有比硅氮化物或硅碳氮氧化物的帶隙更高的帶隙。因此，可以減少通過柵間隔物結(jié)構(gòu)的泄漏電流，并且可以減小柵結(jié)構(gòu)之間的寄生電容。因此，半導(dǎo)體器件可以具有優(yōu)良的電特性。

附圖說明

由以下結(jié)合附圖的詳細(xì)描述，示例實(shí)施方式將被更清楚地理解。圖1至77示出了如此處描述的非限定、示例實(shí)施方式。

圖1至36是示出制造根據(jù)示例實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的方法的階段的俯視圖和剖面圖；

圖37是示出根據(jù)示例實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的剖面圖；

圖38至75是示出制造根據(jù)示例實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的方法的階段的俯視圖和剖面圖；以及

圖76和77是示出根據(jù)示例實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的剖面圖。

具體實(shí)施方式

圖1至36是示出制造根據(jù)示例實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的方法的階段的俯視圖和剖面圖。具體地，圖1、3、6、9、13、17、22、25、27、30和33是俯視圖，并且圖2、4-5、7-8、10-12、14-16、18-21、23-24、26、28-29、31-32和34-36是剖面圖。

圖2、7、10、14、16、18、20、23、31和34分別是沿相應(yīng)俯視圖的線A-A'截取的剖面圖，圖4、28和35分別是沿相應(yīng)俯視圖的線B-B'截取的剖面圖，并且圖5、8、11、12、15、19、21、24、26、29、32和36分別是沿相應(yīng)俯視圖的線C-C'截取的剖面圖。

參考圖1和2，襯底100的上部可以被部分地蝕刻以形成第一凹陷110，并且隔離圖案120可以形成以填充第一凹陷110的下部。

襯底100可以包括半導(dǎo)體材料，例如硅、鍺、硅-鍺等，或者III-V半導(dǎo)體化合物，例如GaP、GaAs、GaSb等。在一些實(shí)施方式中，襯底100可以為絕緣體上硅(SOI)襯底或絕緣體上鍺(GOI)襯底。

由于第一凹陷110形成在襯底100上，有源區(qū)域105可以限定在襯底100上。有源區(qū)域105可以從襯底100的上表面突出，并且因此也可以被稱為有源鰭。襯底100的在其上有源鰭105不被形成的區(qū)域可以被稱為場(chǎng)區(qū)域。

在示例實(shí)施方式中，有源鰭105可以在基本上平行于襯底100的上表面的第一方向上延伸，并且多個(gè)有源鰭105可以在可基本上平行于襯底100的上表面且交叉第一方向的第二方向上形成。在示例實(shí)施方式中，第一方向和第二方向可以以直角彼此交叉，并且因此可以基本上彼此垂直。

在示例實(shí)施方式中，通過在襯底100上形成隔離層以充分填充第一凹陷110，平坦化隔離層直到襯底100的上表面可以被暴露，以及去除隔離層的上部以暴露第一凹陷110的上部，隔離圖案120可以被形成。隔離層可以由例如硅氧化物的氧化物形成。