本發明提供了一種過流保護電路和過流保護方法，其中，該過流保護電路包括：采樣電路、比較電路、信號處理電路、驅動電路和被保護電路部件，其中：采樣電路，輸入端與被保護電路部件相連，輸出端與比較電路的第一輸入端相連；比較電路，第一輸入端與采樣電路的輸出端相連，第二輸入端與預設比較值相連，輸出端與信號處理電路相連；信號處理電路，第一輸入端與比較電路的輸出端相連，第二輸入端與驅動信號相連，輸出端與驅動電路的輸入端相連；驅動電路，輸入端與信號處理電路的輸出端相連，輸出端與被保護電路部件相連。通過上述方案實現在保證保護電路快速性的同時提高電路的抗干擾能力的目的。

技術領域

本發明涉及電路技術領域，具體而言，涉及一種過流保護電路和過流保護方法。

背景技術

SiC器件具有禁帶寬度高、飽和電子漂移速度高、臨界電場擊穿強度高、介電常數低和熱導率高等特性，因此，基于SiC的電力電子器件阻斷電壓高、工作頻率高且耐高溫能力強，同時又具有通態電阻低和開關損耗小的優勢。進一步的，采用SiC電力電子器件可以進一步提升電力電子裝置的功率密度及效率，尤其是在高頻、高溫和大功率電力電子應用領域，SiC電力電子器件具有Si半導體器件難以比擬的巨大應用優勢和潛力。

但是，在中大功率的應用場合，對器件的可靠性要求較高，目前，硅IGBT的過流保護電路技術較為成熟，IGBT過流保護電路主要通過檢測集電極的電流大小來檢測過流故障，從而避免其因過流故障而受到損壞。

IGBT在固定的門極電壓下，其集電極電流隨著U_CE電壓的增加，集電極電流存在一個明顯的拐點。當IGBT電流上升到一定數值時，IGBT會發生退飽和現象，退飽和現象的標志是U_CE電壓會快速上升至輸入電壓，而IGBT電流則沒有明顯變化。

U_CE電壓在數值隨著集電極電流的增大而增大，根據這一特性，可以通過檢測U_CE電壓判斷IGBT是否發生退飽和現象，進而判斷IGBT是否過流。

然而，碳化硅MOSFET的輸出特性與IGBT不同，碳化硅MOSFET沒有退飽和現象，也沒有明確的過流標志，針對如何在保證保護電路快速性的同時提高其抗干擾能力目前尚未提出有效的解決方案。

發明內容

本發明實施例提供了一種過流保護電路和過流保護方法，以在保證保護電路快速性的同時提高電路的抗干擾能力。

一方面，提供了一種過流保護電路，包括：采樣電路、比較電路、信號處理電路、驅動電路和被保護電路部件，其中：

所述采樣電路，輸入端與所述被保護電路部件相連，輸出端與所述比較電路的第一輸入端相連；

所述比較電路，第一輸入端與所述采樣電路的輸出端相連，第二輸入端與預設比較值相連，輸出端與所述信號處理電路相連；

所述信號處理電路，第一輸入端與所述比較電路的輸出端相連，第二輸入端與驅動信號相連，輸出端與所述驅動電路的輸入端相連；

所述驅動電路，輸入端與所述信號處理電路的輸出端相連，輸出端與所述被保護電路部件相連。

在一個實施方式中，所述采樣電路包括：第一電阻、第二電阻、第三電阻、第四電阻、第五電阻、第一二極管、第二二極管和第一電容，其中：

所述第一二極管的第一端與所述被保護電路部件相連，第二端與第三電阻的第一端相連，所述第三電阻的第二端與第二電阻的第一端、第一電阻的第一端、第一電容的第一端、第四電阻的第一端相連，第二電阻的第二端與第二二極管的第一端相連，第二二極管的第二端和所述第一電阻的第二端與所述信號處理電路的輸出端相連，第一電容的第二端接地，第四電阻的第二端與第五電阻的第一端和所述比較電路的第一輸入端相連，第五電阻的第二端接地。

在一個實施方式中，所述比較電路包括：比較器。