技術領域

本發明涉及微電子技術領域，尤其是涉及一種放電板以及放電系統。

背景技術

金屬氧化物半導體場效應晶體管(metaloxidesemiconductor，簡稱MOS管)的源極和耗盡層是可以對調的，他們都是在P型背柵中形成的N型區。在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。

雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后，在輸出端輸出一個大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比。另一種晶體管，叫做場效應晶體管(Field Effect Transistor，簡稱FET)，它把輸入電壓的變化轉化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的輸出電流的變化和輸入電壓變化之比，市面上常有的一般為N溝道和P溝道，而P溝道常見的為低壓MOS管。

但是，一般在MOS管的使用過程中都非常注意防靜電破壞。MOS管的柵極源極間最大額定電壓約為±20V，如果驅動電壓超出這個范圍,就很有可能永久損壞MOS管，主要是因為MOS管輸入阻抗大的特點，電荷不能及時的流走，積聚在柵極，就會造成MOS管柵極和源極之間的電壓大于這個±20V的范圍，這時MOS管就可能損壞。這就是一定不能用手去摸MOS管引腳的原因，手上的靜電高達千伏，MOS管一下子就會被擊穿了。因此，MOS管對靜電比較敏感，極其容易被靜電擊穿。

發明內容

有鑒于此，本發明的目的在于提供一種放電板以及放電系統，以解決現有技術中存在的MOS管對靜電比較敏感，極其容易被靜電擊穿的技術問題。

第一方面，本發明實施例提供了一種放電板，包括：電路板、MOS管以及防靜電裝置；

所述MOS管與所述電路板互相連接；

所述MOS管設置于所述電路板上；

所述電路板通過所述MOS管控制電流；

所述防靜電裝置設置于所述MOS管的外部。

結合第一方面，本發明實施例提供了第一方面的第一種可能的實施方式，其中，所述MOS管的數量為11個；

所述防靜電裝置設置于每個所述MOS管的外部。

結合第一方面，本發明實施例提供了第一方面的第二種可能的實施方式，其中，所述防靜電裝置包括絕緣層、抗靜電膜、磁場屏蔽罩中至少一種。

結合第一方面，本發明實施例提供了第一方面的第三種可能的實施方式，其中，所述防靜電裝置上還設置有接地裝置；

所述接地裝置與地面連接。

結合第一方面，本發明實施例提供了第一方面的第四種可能的實施方式，其中，每個所述MOS管與所述電路板之間活動連接。

結合第一方面，本發明實施例提供了第一方面的第五種可能的實施方式，其中，還包括檢測裝置；

每個所述檢測裝置與每個所述MOS管連接，檢測所述MOS管的故障情況。

結合第一方面，本發明實施例提供了第一方面的第六種可能的實施方式，其中，還包括故障顯示裝置；

所述故障顯示裝置與所述檢測裝置連接，顯示每個所述MOS管的故障信息。

第二方面，本發明實施例還提供一種放電系統，包括：負載以及如第一方面的放電板；

所述放電板與所述負載連接；

所述放電板為所述負載提供放電電流。

結合第二方面，本發明實施例提供了第二方面的第一種可能的實施方式，其中，所述MOS管通過脈沖信號控制通斷；

每個所述MOS管通過加載2A直流控制所述負載的放電電流值驅動所述負載。

結合第二方面，本發明實施例提供了第二方面的第二種可能的實施方式，其中，所述負載為電極與加工件。

本發明實施例提供的技術方案帶來了以下有益效果：本發明實施例提供的放電板包括：MOS管、電路板與防靜電裝置，該MOS管設置于該電路板上，且MOS管與電路板互相連接，其中，電路板通過MOS管控制電流，而防靜電裝置設置于MOS管的外部，通過防靜電裝置在MOS管的外部，保護MOS管不受外界靜電的干擾，使MOS管免受靜電破壞，從而解決了現有技術中存在的MOS管對靜電比較敏感，極其容易被靜電擊穿的技術問題。

本發明的其他特征和優點將在隨后的說明書中闡述，并且，部分地從說明書中變得顯而易見，或者通過實施本發明而了解。本發明的目的和其他優點在說明書、權利要求書以及附圖中所特別指出的結構來實現和獲得。

為使本發明的上述目的、特征和優點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，并配合所附附圖，作詳細說明如下。

附圖說明