[發(fā)明專利]硅基光探測器陣列結(jié)構(gòu)在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710207630.X | 申請日： | 2017-03-31 |
| 公開（公告）號： | CN108666326A | 公開（公告）日： | 2018-10-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李文剛 | 申請（專利權(quán)）人： | 江蘇尚飛光電科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/144 | 分類號： | H01L27/144;H01L31/02;H01L31/105 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務(wù)所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明偉 |
| 地址： | 226009 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 硅基 光探測器 光探測器陣列 光電流 串?dāng)_ 深槽 結(jié)構(gòu)邊緣 結(jié)構(gòu)中心 陣列分布 減小 相隔 | ||
1.一種硅基光探測器陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：所述硅基光探測器陣列結(jié)構(gòu)包括：
多個(gè)硅基光探測器，多個(gè)所述硅基光探測器呈陣列分布，且各所述硅基光探測器之間相隔一定的間距；
深槽，位于相鄰所述硅基光探測器之間，以切斷相鄰所述硅基光探測器之間光電流的串?dāng)_路徑。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基光探測器陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述硅基光電探測器陣列結(jié)構(gòu)包括：
I型半導(dǎo)體層，包括第一表面及與所述第一表面相對的第二表面；
多個(gè)P型半導(dǎo)體區(qū)域，位于所述I型半導(dǎo)體層內(nèi)，且呈間隔分布；所述P型半導(dǎo)體區(qū)域的上表面與所述I型半導(dǎo)體層的第一表面相平齊；
N型半導(dǎo)體層，位于所述I型半導(dǎo)體層的第二表面；
所述深槽位于所述P型半導(dǎo)體區(qū)域之間的所述I型半導(dǎo)體層內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的硅基光探測器陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述深槽的深度大于所述P型半導(dǎo)體區(qū)域的深度，且小于所述I型半導(dǎo)體層的厚度。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的硅基光探測器陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述深槽的寬度小于相鄰所述P型半導(dǎo)體區(qū)域的間距。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的硅基光探測器陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述深槽的寬度小于或等于相鄰所述P型半導(dǎo)體區(qū)域間距的一半。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的硅基光探測器陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述深槽的邊緣至最鄰近的所述P型半導(dǎo)體區(qū)域的間距相等。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的硅基光探測器陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述I型半導(dǎo)體層為本征半導(dǎo)體層，所述P型半導(dǎo)體區(qū)域?yàn)镻型重?fù)诫s半導(dǎo)體區(qū)域，所述N型半導(dǎo)體層為N型重?fù)诫s半導(dǎo)體層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基光探測器陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述深槽縱截面的形狀為矩形、U型、倒三角形或倒梯形。
9.根據(jù)權(quán)利要求2至8中任一項(xiàng)所述的硅基光探測器陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述硅基光探測器陣列結(jié)構(gòu)還包括：
上電極，位于所述P型半導(dǎo)體區(qū)域的表面；
下電極，位于所述N型半導(dǎo)體層的表面。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個(gè)躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的
