[發明專利]層疊膜及其制造方法有效
| 申請號: | 201710197298.3 | 申請日: | 2017-03-29 |
| 公開(公告)號: | CN107331784B | 公開(公告)日: | 2020-11-27 |
| 發明(設計)人: | 伊藤豐 | 申請(專利權)人: | 住友化學株式會社 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 趙雁;金世煜 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 層疊 及其 制造 方法 | ||
1.一種層疊膜,是在樹脂基材上至少層疊有氣體阻隔層和無機聚合物層的層疊膜,
關于所述無機聚合物層的膜厚方向的從該層的表面起的距離以及相對于硅原子、氧原子、碳原子和氮原子的合計量的氧原子的比率即氧原子比,從與所述氣體阻隔層相反的一側的表面起到沿深度方向為無機聚合物層的膜厚的30%為止的區域中的氧原子比O/(Si、O、C和N的合計量)的值與從沿深度方向為無機聚合物層的膜厚的30%起到所述氣體阻隔層側的表面為止的區域中的氧原子比O/(Si、O、C和N的合計量)的值之比為1.05以上,
所述層疊膜的水蒸氣透過率為1.7×10-5g/m2/day以下,
所述無機聚合物層的與所述氣體阻隔層相反的一側的表面的算術平均表面粗糙度為1.3nm以下。
2.根據權利要求1所述的層疊膜,其中,從所述無機聚合物層的與所述氣體阻隔層相反的一側的表面起到沿深度方向為無機聚合物層的膜厚的30%為止的區域中的氧原子比O/(Si、O、C和N的合計量)的值與從沿深度方向為無機聚合物層的膜厚的30%起到所述氣體阻隔層側的表面為止的區域中的氧原子比O/(Si、O、C和N的合計量)的值之比為2.00以下。
3.根據權利要求1或2所述的層疊膜,其中,從所述無機聚合物層的與所述氣體阻隔層相反的一側的表面起到沿深度方向為無機聚合物層的膜厚的30%為止的區域中的氧原子比O/(Si、O、C和N的合計量)的值與從沿深度方向為無機聚合物層的膜厚的30%起到所述氣體阻隔層側的表面為止的區域中的氧原子比O/(Si、O、C和N的合計量)的值之比為1.20以上。
4.根據權利要求1或2所述的層疊膜,其中,所述氣體阻隔層是含有硅原子、氧原子和碳原子且在硅分布曲線、氧分布曲線和碳分布曲線中全部滿足條件i~iii的硅氧化物系的層,所述硅分布曲線、氧分布曲線和碳分布曲線分別表示該氣體阻隔層的膜厚方向的從該氣體阻隔層的表面起的距離與相對于硅原子、氧原子和碳原子的合計量的硅原子量的比率即硅的原子比、氧原子量的比率即氧的原子比和碳原子量的比率即碳的原子比的關系,
i:硅的原子比、氧的原子比和碳的原子比在該氣體阻隔層的膜厚的90%以上的區域中滿足式(1)表示的條件,
(氧的原子比)>(硅的原子比)>(碳的原子比)···(1)
ii:所述碳分布曲線具有至少1個極值,
iii:所述碳分布曲線中的碳的原子比的最大值與最小值的差的絕對值為5at%以上。
5.根據權利要求3所述的層疊膜,其中,所述氣體阻隔層是含有硅原子、氧原子和碳原子且在硅分布曲線、氧分布曲線和碳分布曲線中全部滿足條件i~iii的硅氧化物系的層,所述硅分布曲線、氧分布曲線和碳分布曲線分別表示該氣體阻隔層的膜厚方向的從該氣體阻隔層的表面起的距離與相對于硅原子、氧原子和碳原子的合計量的硅原子量的比率即硅的原子比、氧原子量的比率即氧的原子比和碳原子量的比率即碳的原子比的關系,
i:硅的原子比、氧的原子比和碳的原子比在該氣體阻隔層的膜厚的90%以上的區域中滿足式(1)表示的條件,
(氧的原子比)>(硅的原子比)>(碳的原子比)···(1)
ii:所述碳分布曲線具有至少1個極值,
iii:所述碳分布曲線中的碳的原子比的最大值與最小值的差的絕對值為5at%以上。
6.根據權利要求1或2所述的層疊膜,其中,所述氣體阻隔層含有硅原子、氧原子和氮原子,且該氣體阻隔層是全部滿足條件iv和v的硅氧化物系的層,
iv:所述氣體阻隔層從樹脂基材側起具有含氧比率不同的第2薄膜層、第1薄膜層、第3薄膜層,第1薄膜層的硅原子、氧原子和氮原子的平均組成在10at%≤Si≤40at%、5at%≤O≤30at%、50at%≤N≤80at%的范圍,
v:所述第2薄膜層和第3薄膜層的氮原子和硅原子的元素比率在式(2)的范圍,
N/Si≤0.2···(2)。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于住友化學株式會社,未經住友化學株式會社許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.17sss.com.cn/pat/books/201710197298.3/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:存儲器掉電時間段定位方法及系統掉電保護方法
- 下一篇:一種伸縮球
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





