[發明專利]FINFET為基礎的閃存胞有效
| 申請號： | 201710165125.3 | 申請日： | 2017-03-20 |
| 公開（公告）號： | CN107221534B | 公開（公告）日： | 2020-07-31 |
| 發明（設計）人： | 彼特·巴爾斯;朱爾根·法爾 | 申請（專利權）人： | 格羅方德半導體公司 |
| 主分類號： | H01L27/11524 | 分類號： | H01L27/11524 |
| 代理公司： | 北京戈程知識產權代理有限公司 11314 | 代理人： | 程偉;王錦陽 |
| 地址： | 英屬開曼群*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | finfet 基礎 閃存 | ||
1.一種制造半導體裝置的方法，其包含：
提供半導體基材；
在該半導體基材的邏輯區中形成第一多個半導體鰭片；
在該半導體基材的存儲區中形成第二多個半導體鰭片；
在該第一多個半導體鰭片的所述鰭片之間、及該第二多個半導體鰭片的所述鰭片之間形成絕緣層；
在所述第一與第二多個半導體鰭片及該絕緣層上方形成電極層；
由該電極層本身形成柵極于該邏輯區中的該第一多個半導體鰭片的半導體鰭片上方；以及
由該電極層本身形成感測柵極及控制柵極于該存儲區中的該第二多個半導體鰭片的半導體鰭片之間。
2.如權利要求1所述的方法，還包含在該存儲區中的該絕緣層中形成凹口，并且其中，所述感測柵極與浮動柵極是在該絕緣層中所形成的所述凹口中形成。
3.如權利要求1所述的方法，還包含在該邏輯區中的所述柵極與所述半導體鰭片之間、及該存儲區中的所述感測柵極與所述半導體鰭片之間形成高k介電層。
4.如權利要求1所述的方法，還包含在該存儲區中的所述控制柵極與所述半導體鰭片之間形成浮動柵極。
5.如權利要求1所述的方法，還包含在所述邏輯與存儲區中的所述第一與第二多個半導體鰭片與該絕緣層上方形成犧牲柵極層，并且在形成該電極層之前先移除該犧牲柵極層。
6.如權利要求1所述的方法，其中，形成所述感測柵極與所述控制柵極包含將該存儲區中的該電極層向下研磨至該第二多個半導體鰭片的所述半導體鰭片的頂端表面的位準。
7.一種形成半導體裝置的方法，其包含在晶圓的邏輯區中形成FinFET裝置，并且在該晶圓的存儲區中形成閃存胞，其包含：
在該邏輯區中形成具有第一高度的第一半導體鰭片；
在該存儲區中形成具有大于該第一高度的第二高度的第二半導體鰭片；
在所述第一與第二半導體鰭片上方形成電極層；
由該電極層本身形成該FinFET裝置的柵極于所述第一半導體鰭片上方；以及
由該電極層本身形成該閃存胞的感測柵極與所述第二半導體鰭片的半導體鰭片的第一側壁鄰近，并且由該電極層本身形成該閃存胞的控制柵極與所述第二半導體鰭片的該半導體鰭片的第二側壁鄰近。
8.如權利要求7所述的方法，還包含：
以比該第一高度更低的第三高度在所述第一半導體鰭片之間、及以比該第一高度更大，與該第二高度實質相等的第四高度在所述第二半導體鰭片之間形成氧化物層；以及其中
該FinFET裝置的該柵極是在該邏輯區中的該氧化物層上部分形成，而該閃存胞的該感測柵極與該控制柵極是在該存儲區里的該氧化物層中所形成的凹口中形成。
9.如權利要求7所述的方法，還包含：
在形成該FinFET裝置的該柵極、及該閃存胞的所述感測與控制柵極之前，先在所述第一與第二半導體鰭片的頂端表面與側表面上方形成半導體層；
將該半導體層從所述第一與第二半導體鰭片的所述頂端表面、并且自所述第一半導體鰭片的所述側表面移除；以及
在該存儲區中自該半導體層起形成該閃存胞的浮動柵極。
10.如權利要求7所述的方法，還包含在該FinFET裝置的該柵極的側表面、及該控制柵極的側表面上形成高k介電層。
11.如權利要求7所述的方法，還包含在形成該電極層之前，先在所述第一與第二半導體鰭片上方形成犧牲電極層、圖型化該犧牲電極層以在所述第一與第二半導體鰭片上方形成取代柵極、在所述取代柵極之間形成絕緣層、以及移除所述取代柵極。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
