本發(fā)明實(shí)施例公開了一種顯示基板及其制作方法。該方案中，在絕緣層用于連接第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層的連接孔中設(shè)置有導(dǎo)電墊層，使得連接孔變淺，第二導(dǎo)電層與導(dǎo)電墊層電連接即可實(shí)現(xiàn)與第一導(dǎo)電層的電連接，降低了第二導(dǎo)電層在連接孔臺(tái)階處的鋪設(shè)難度，第二導(dǎo)電層在連接孔臺(tái)階處較平緩，改善了連接孔中的斷線問題。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種顯示基板及其制作方法。

背景技術(shù)

在顯示裝置中，當(dāng)需要將兩個(gè)不同膜層之間的導(dǎo)電層進(jìn)行電連接時(shí)，通常在兩個(gè)膜層之間的絕緣層中設(shè)置連接孔，實(shí)現(xiàn)兩個(gè)導(dǎo)電層的連接。

如果絕緣層相對(duì)導(dǎo)電層過厚，導(dǎo)電層很薄，非常容易出現(xiàn)斷線問題，下面通過圖1進(jìn)行舉例說明：

現(xiàn)有的一種如圖1所示的陣列基板結(jié)構(gòu)，包括襯底基板，在襯底基板1上層疊設(shè)置的第一導(dǎo)電層2、絕緣層3、第二導(dǎo)電層4，第一導(dǎo)電層2通過絕緣層3中的連接孔5與第二導(dǎo)電層4電連接，從圖中可以看出，絕緣層越厚，第二導(dǎo)電層越薄，在連接孔臺(tái)階處的第二導(dǎo)電層越難鋪設(shè)，越容易出現(xiàn)斷線問題。例如，液晶顯示屏中，由于有機(jī)膜層作為絕緣層具有減小像素電極與數(shù)據(jù)線之間的耦合電容等優(yōu)勢，在薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)陣列基板側(cè)有機(jī)膜的應(yīng)用越來越廣泛，但是一般有機(jī)膜層的厚度約為而一般的導(dǎo)電層的厚度只有幾百或上千如氧化銦錫(Indium Tin Oxide，ITO)層，厚度約為兩者的厚度差異較大，有時(shí)需要設(shè)置位于ITO層通過有機(jī)膜層的連接孔與該有機(jī)膜層另一側(cè)的導(dǎo)電層進(jìn)行電連接，由于有機(jī)膜層非常厚，在有機(jī)膜層的連接孔的臺(tái)階處，ITO層鋪設(shè)很困難，就很容易出現(xiàn)斷線問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實(shí)施例的目的是提供一種顯示基板及其制作方法，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中連接孔處容易斷線的問題。

本發(fā)明實(shí)施例的目的是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的：

一種顯示基板，包括：襯底基板，在襯底基板上層疊設(shè)置的第一導(dǎo)電層、絕緣層、第二導(dǎo)電層；所述絕緣層內(nèi)設(shè)置有用于連接所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層的連接孔；

所述顯示基板還包括：設(shè)置于所述連接孔中的導(dǎo)電墊層；所述第二導(dǎo)電層在所述連接孔中通過所述導(dǎo)電墊層與所述第一導(dǎo)電層電連接。

較佳地，所述導(dǎo)電墊層與所述第二導(dǎo)電層接觸的表面為曲面。

較佳地，所述導(dǎo)電墊層與所述第一導(dǎo)電層接觸表面的面積大于所述連接孔與所述第二導(dǎo)電層接觸端的開孔的面積。

較佳地，所述絕緣層的厚度大于所述第二導(dǎo)電層的厚度。

較佳地，所述絕緣層的材料包括有機(jī)材料；所述第二導(dǎo)電層的材料包括氧化銦錫ITO。

較佳地，所述導(dǎo)電墊層的厚度小于所述絕緣層的厚度，且不小于所述絕緣層的厚度與所述第二導(dǎo)電層的厚度之差。

較佳地，所述導(dǎo)電墊層的材料為金屬、合金、高分子有機(jī)物的導(dǎo)電材料或石墨烯。

一種如以上任一項(xiàng)所述的顯示基板的制作方法，包括：

在襯底基板上形成第一導(dǎo)電層；

在形成有所述第一導(dǎo)電層的襯底基板上形成具有連接孔的絕緣層以及位于所述連接孔中的導(dǎo)電墊層；

在形成有所述絕緣層和導(dǎo)電墊層的襯底基板上形成第二導(dǎo)電層；其中，所述第二導(dǎo)電層在所述連接孔中通過所述導(dǎo)電墊層與所述第一導(dǎo)電層電連接。

較佳地，在形成有所述第一導(dǎo)電層的襯底基板上形成具有連接孔的絕緣層以及位于所述連接孔中的導(dǎo)電墊層，包括：

在形成有所述第一導(dǎo)電層的襯底基板上待形成連接孔的區(qū)域形成導(dǎo)電墊層；

形成覆蓋所述第一導(dǎo)電層和所述導(dǎo)電墊層的絕緣層；