[發明專利]一種無柵線全背接觸太陽能電池組件有效
| 申請號: | 201710047512.7 | 申請日: | 2017-01-22 |
| 公開(公告)號: | CN106653912B | 公開(公告)日: | 2023-10-24 |
| 發明(設計)人: | 蔣秀林;湯坤;周艷方;尹海鵬;于海濱;單偉 | 申請(專利權)人: | 晶澳(揚州)太陽能科技有限公司;晶澳太陽能有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/05 | 分類號: | H01L31/05;H01L31/0224 |
| 代理公司: | 廣州知友專利商標代理有限公司 44104 | 代理人: | 李海波;劉艷麗 |
| 地址: | 225131 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 無柵線全背 接觸 太陽能電池 組件 | ||
1.一種無柵線全背接觸太陽能電池組件,包括多個相串連的背接觸太陽能小電池片,所述背接觸太陽能小電池片由背接觸太陽能電池片切割而成,所述背接觸太陽能電池片包括n型硅基體,所述n型硅基體的背面設有相互平行且交替排列的p+摻雜區域和n+摻雜區域,所述p+摻雜區域和n+摻雜區域上設有背面鈍化層,所述背面鈍化層上設有正電極接觸部和負電極接觸部,其中正電極接觸部位于所述p+摻雜區域對應位置上且與所述p+摻雜區域相接觸,所述負電極接觸部位于所述n+摻雜區域對應位置上且與所述n+摻雜區域相接觸,其特征是:所述正電極接觸部和所述負電極接觸部上覆蓋有焊錫或導電膠,所述背接觸太陽能電池片沿垂直于所述p+摻雜區域和n+摻雜區域的長邊方向切割成若干背接觸太陽能小電池片,相鄰兩小電池片相串連時,所述正電極接觸部的焊錫或導電膠上設置有銅線,所述負電極接觸部的焊錫或導電膠上也設置有銅線,相鄰兩小電池片直接通過銅線相串連,或相鄰兩小電池片通過銅線和焊帶相串連。
2.根據權利要求1所述的無柵線全背接觸太陽能電池組件,其特征是:相鄰兩小電池片相串連時,將其中一小電池片旋轉180°獲得相鄰的小電池片,其中一小電池片的電極接觸部與相鄰小電池片的極性相反的電極接觸部相平齊,相鄰兩小電池片相串連時直接采用銅線將其中一小電池片的電極接觸部上的焊錫或導電膠與相鄰小電池片的極性相反的電極接觸部上的焊帶或導電膠相連接,形成串連電池片。
3.根據權利要求1所述的無柵線全背接觸太陽能電池組件,其特征是:相鄰兩小電池片相串連時,相鄰兩小電池片結構相同,其中一小電池片的電極接觸部與相鄰小電池片的極性相同的電極接觸部相平齊,所述正電極接觸部上的銅線與所述負電極接觸部上的銅線兩端不對齊,分別具有突出端和縮短端,采用焊帶將相鄰兩小電池片上的銅線突出端相連接,形成串連電池片。
4.根據權利要求1-3任一項所述的無柵線全背接觸太陽能電池組件,其特征是:所述正電極接觸部的焊錫或導電膠上的銅線與所述負電極接觸部的焊錫或導電膠上的銅線相平行設置,且所述銅線沿著所述p+摻雜區域和所述n+摻雜區域的長邊方向設置。
5.根據權利要求4所述的無柵線全背接觸太陽能電池組件,其特征是:所述銅線的截面為圓形或橢圓形,其截面積為100~9000μm2。
6.根據權利要求4所述的無柵線全背接觸太陽能電池組件,其特征是:所述正電極接觸部的形狀為點狀或線狀,其中單個點或單段線的面積為100~9000μm2,相鄰兩點或相鄰兩段線之間的間距為30~2000μm。
7.根據權利要求4所述的無柵線全背接觸太陽能電池組件,其特征是:所述焊錫或導電膠采用絲網印刷或點膠的方式全部覆蓋所述正電極接觸部和所述負電極接觸部,并局部或全部覆蓋所述p+摻雜區域和n+摻雜區域,所述焊錫或導電膠的形狀為長條狀,所述焊錫或導電膠在p+摻雜區域和n+摻雜區域的短邊尺寸為30~1500μm,且小于所述p+摻雜區域和n+摻雜區域短邊的尺寸。
8.根據權利要求4或7所述的無柵線全背接觸太陽能電池組件,其特征是:所述焊錫的材質為錫、錫鉛合金、錫鉍合金或錫鉛銀合金,所述導電膠為粘結劑包括的導電顆粒,所述導電顆粒為銀、金、銅或合金金屬顆粒,所述粘結劑為環氧樹脂、酚醛樹脂、聚氨酯、熱塑性樹脂或聚酰亞胺。
9.根據權利要求4所述的無柵線全背接觸太陽能電池組件,其特征是:所述背接觸太陽能電池片沿垂直于所述p+摻雜區域和n+摻雜區域的長邊方向切割成2~20個背接觸太陽能小電池片。
10.根據權利要求4所述的無柵線全背接觸太陽能電池組件,其特征是:所述n型硅基體的前表面上還設有前表面場和減反射鈍化層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





