本文所公開的實施方式一般地涉及用于處理基板的底表面以抵消基板上的熱應力的方法及裝置。可將校正應變施加至基板的底表面，校正應變可補償基板的頂表面上的非期望的應變及變形。可通過任意結合沉積、注入、熱處理及蝕刻在基板的背側上形成經特別設計的膜，以產生能補償基板的非所欲變形的應變。通過局部改變氮化硅膜或碳膜的氫含量可導致局部應變。可由印刷、光刻術或自組裝技術形成結構。可由期望的應力圖來確定對膜的數個層的處理，且所述處理可包括退火、注入、熔融或其它熱處理。

技術領域

本公開內容的實施方式一般地涉及用于半導體處理的方法及裝置。更具體而言，本文所述的實施方式涉及用于處理基板的底側的方法及裝置。

背景技術

在芯片制造過程中，基板經歷了不均勻的局部變形(distortion)，若沒有被修正的話，局部變形會導致層與層之間產生光刻圖案(lithography?pattern)的未對準(misalignment)。既然可在光刻印刷期間使圖案光學對位，對某些型態(tài)的變形而言，可校正定位(registration)。然而，對其它類型的變形而言，校正是不可能的且會導致產量損失的結果。此外，隨著特征尺寸繼續(xù)縮減，對變形的容限(tolerance)會降低，并且不可校正的變形的數量會增加。

先前已經通過將受控量的離子局部注入到硬掩模中以產生局部應變(localstrain)，來校正變形。局部應變可補償原本存在的應變。然而，可能導致含有所選擇的離子的下層的污染。

校正變形的其它嘗試涉及硬掩模的可變局部表面退火，以產生局部應變來補償原本存在的局部應變。然而，另一方面，當在隨后的處理期間去除硬掩模的表面時，會發(fā)生局部松弛(relaxation)。

因此，在本技術領域中需要用于處理基板的背側的方法與系統(tǒng)。

發(fā)明內容

在一個實施方式中，公開了一種用于處理基板的背側的方法。所述方法可包括下列步驟：于基板的背側上沉積膜；退火基板；及于基板的背側上進行注入。所述方法進一步包括熱處理基板的背側。

在另一個實施方式中，公開了一種用于處理基板的背側的方法。所述方法可包括下列步驟：退火基板；注入基板的背側；及熱處理基板的背側。所述方法可進一步包括下列步驟：蝕刻基板的背側；及對準基板以進行圖案化。

在又一個實施方式中，公開了一種用于處理基板的工具。所述工具可包括：處理腔室，用以在基板的背側上沉積多個膜層。所述處理腔室可包括：傳送腔室、沉積工具、退火工具及蝕刻工具。退火工具可將基板的背側上的多個膜層退火，且退火工具可包括基板邊緣支撐件。蝕刻工具可蝕刻基板的背側，并可包括基板邊緣支撐件。

附圖說明

以上簡要概述的本公開內容的上述詳述特征能夠被具體理解的方式、以及本公開內容的更特定描述，可以通過參照實施方式獲得，實施方式中的一些繪示于附圖中。然而，應當注意，附圖僅繪示本公開內容的典型實施方式，因而不應被視為是對本發(fā)明的范圍的限制，因為本公開內容可以允許其他等同有效的實施方式。

圖1示意性圖解根據一個實施方式的用于處理基板的背側的方法的操作。

圖2示意性圖解根據一個實施方式的用于處理基板的背側的方法的操作。

圖3圖示根據一個實施方式的沉積腔室的示意圖。

圖4圖示根據一個實施方式的用于熱處理基板的裝置的概要等角視圖。

圖5圖示根據一個實施方式的用于熱處理基板的快速熱處理腔室的示意性等距圖。

圖6圖示根據一個實施方式的用于熱處理基板的裝置的示意圖。

圖7圖示根據一個實施方式的蝕刻反應器的示意圖。

圖8圖示根據一個實施方式的具有多個基板處理腔室的群集工具傳送腔室的頂部示意圖。