[發明專利]鋁合金殼體及其制備方法和個人電子設備有效
| 申請號： | 201611265160.4 | 申請日： | 2016-12-30 |
| 公開（公告）號： | CN108265323B | 公開（公告）日： | 2019-11-05 |
| 發明（設計）人： | 廖重重;王鈺;陳梁 | 申請（專利權）人： | 比亞迪股份有限公司 |
| 主分類號： | C25D11/12 | 分類號： | C25D11/12;C25D11/08;C25D11/18;H04M1/18 |
| 代理公司： | 北京英創嘉友知識產權代理事務所(普通合伙) 11447 | 代理人： | 耿超;王浩然 |
| 地址： | 518118 廣東省*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 陽極氧化膜層 鋁合金殼體 納米孔 內層 氧化膜層 狹縫 個人電子設備 鋁合金基體 金屬層 制備 殼體外側表面 金屬層表面 金屬質感 不可見 天線槽 殼體 可用 遮蔽 光滑 整潔 | ||
1.一種鋁合金殼體，該鋁合金殼體包括鋁合金基體(1)和覆蓋在所述鋁合金基體(1)表面的氧化膜層(2)；其特征在于，所述鋁合金基體(1)上具有狹縫(3)，所述狹縫(3)在所述鋁合金基體(1)的外側表面和內側表面上分別開設有外側開口(4)和內側開口(5)，所述氧化膜層(2)將所述狹縫的外側開口(4)封閉；所述氧化膜層(2)包括內層陽極氧化膜層(21)以及外層陽極氧化膜層(22)；所述內層陽極氧化膜層(21)具有內層陽極氧化膜層納米孔，所述內層陽極氧化膜層納米孔的孔徑為10-50nm；所述外層陽極氧化膜層(22)具有外層陽極氧化膜層納米孔，所述外層陽極氧化膜層納米孔的孔徑為30-100nm；所述內層陽極氧化膜層納米孔的密度為200-550個/平方微米，所述外層陽極氧化膜層納米孔的密度為550-900個/平方微米，所述內層陽極氧化膜層納米孔的孔徑小于所述外層陽極氧化膜層納米孔的孔徑；所述內層陽極氧化膜層納米孔和外層陽極氧化膜層納米孔內各自獨立地填充有染色染料。
2.根據權利要求1所述的鋁合金殼體，其中，所述染色染料為有機染料。
3.根據權利要求2所述的鋁合金殼體，其中，所述有機染料包括奧野420染料、415染料和419染料中的至少一種。
4.根據權利要求1所述的鋁合金殼體，其中，所述氧化膜層(2)的顏色深度L值為0-30，顏色│A│值為0-2，顏色│B│值為0-2，染色深度大于23μm。
5.根據權利要求1所述的鋁合金殼體，其中，所述氧化膜層(2)的表面硬度為320HV0.1-500HV0.1。
6.根據權利要求1所述的鋁合金殼體，其中，所述內層陽極氧化膜層(21)的厚度為1-60μm；所述外層陽極氧化膜層(22)的厚度為1-60μm。
7.根據權利要求1所述的鋁合金殼體，其中，所述狹縫(3)的寬度為0.5-10mm，所述狹縫(3)的數量為1-10個。
8.根據權利要求1或7所述的鋁合金殼體，其中，所述狹縫(3)將所述鋁合金基體(1)分隔為彼此絕緣的至少兩塊。
9.根據權利要求1所述的鋁合金殼體，其中，所述狹縫(3)里填充有絕緣體。
10.一種制備鋁合金殼體的方法，其特征在于，該方法包括以下步驟：
a、將鋁合金基體進行陽極氧化處理，得到覆蓋有氧化膜層的鋁合金基體，其中，所述陽極氧化處理包括第一陽極氧化處理和第二陽極氧化處理；所述第一陽極氧化處理使得鋁合金基體形成含有孔徑為30-100nm的納米孔的外層陽極氧化膜層；所述第二陽極氧化處理使得鋁合金基體形成含有孔徑為10-50nm的納米孔的內層陽極氧化膜層；所述內層陽極氧化膜層的納米孔的密度為200-550個/平方微米，所述外層陽極氧化膜層的納米孔的密度為550-900個/平方微米；
b、將所述覆蓋有氧化膜層的鋁合金基體中的鋁合金基體部分進行部分去除以形成狹縫，所述狹縫在所述鋁合金基體的外側表面和內側表面上分別開設有外側開口和內側開口，所述氧化膜層將所述狹縫的外側開口封閉；
該方法還包括，將步驟a中得到的所述覆蓋有氧化膜層的鋁合金基體進行染色處理，然后再進行步驟b的操作。
11.根據權利要求10所述的方法，其中，所述第一陽極氧化處理包括將所述鋁合金基體與含有硫酸的第一水溶液接觸，以1000重量份的第一水溶液為基準，硫酸的含量為110-360重量份；所述第二陽極氧化處理包括將所述鋁合金基體與含有硫酸和草酸的第二水溶液接觸，以1000重量份的所述第二水溶液為基準，硫酸的含量為90-260重量份，草酸的含量為4-25重量份。
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