技術領域

本發明涉及電路技術領域，特別是涉及一種電荷泵和一種電荷泵電路。

背景技術

在一個系統中，通常會包括不同功能的IC(集成電路)，有些IC會需要一個比外部電源更高的電壓才能正常工作，因此，通常系統會使用電荷泵電路來將外部電源的電壓提升至這些IC需要的電壓，以使這些IC能夠正常工作。

現有技術中，當電荷泵電路中的電荷泵工作時，電荷泵內倍壓模塊的NMOS管存在襯偏效應，且當電荷泵輸出電壓越高時，NMOS管的開啟電壓越大，因此需要更高的開啟電壓來開啟NMOS管，這導致現有技術中的電荷泵的電源功耗很高。

發明內容

鑒于上述問題，本發明實施例的目的在于提供一種電荷泵和一種電荷泵電路，以解決現有技術中電荷泵的電源功耗高的問題。

為了解決上述問題，本發明實施例公開了一種電荷泵，包括依次連接的n級倍壓模塊，n為大于或等于2的整數，所述倍壓模塊包括第一電容和第二電容，所述倍壓模塊還包括：第一雙阱NMOS管和第二雙阱NMOS管，當所述倍壓模塊為第1級倍壓模塊時，所述第一雙阱NMOS管的漏端和所述第二雙阱NMOS管的漏端分別與電荷泵的輸入電壓提供端相連，當所述倍壓模塊不為所述第1級倍壓模塊時，所述第一雙阱NMOS管的漏端和所述第二雙阱NMOS管的漏端分別與前級倍壓模塊的輸出端相連；第一PMOS管，所述第一PMOS管的漏端與所述第一雙阱NMOS管的源端相連，所述第一PMOS管的柵端與所述第一雙阱NMOS管的柵端相連，所述第一PMOS管的漏端與所述第一雙阱NMOS管的源端之間具有第一節點，所述第一節點與所述第一電容相連，所述第一PMOS管的柵端與所述第一雙阱NMOS管的柵端之間具有第二節點；第二PMOS管，所述第二PMOS管的漏端與所述第二雙阱NMOS管的源端相連，所述第二PMOS管的柵端與所述第二雙阱NMOS管的柵端相連，所述第二PMOS管的漏端與所述第二雙阱NMOS管的源端之間具有第三節點，所述第三節點分別與所述第二電容和所述第二節點相連，所述第二PMOS管的柵端與所述第二雙阱NMOS管的柵端之間具有第四節點，所述第四節點與所述第一節點相連，所述第二PMOS管的源端與所述第一PMOS管的源端相連，所述第二PMOS管的源端與所述第一PMOS管的源端作為所述倍壓模塊的輸出端。

可選地，當所述倍壓模塊為第m級倍壓模塊時，m大于1且m小于或等于n，所述倍壓模塊還包括：第一電源轉換單元，所述第一電源轉換單元的輸入端接收第一時鐘信號，所述第一電源轉換單元的電源端與第m-1級倍壓模塊中的第一節點相連，所述第一電源轉換單元的輸出端與所述第一電容相連，所述第一電源轉換單元用于輸出第一電壓信號，所述第一電壓信號的最大電壓為所述輸入電壓提供端提供的輸入電壓的m倍；第二電源轉換單元，所述第二電源轉換單元的輸入端接收第二時鐘信號，所述第二電源轉換單元的電源端與所述第m-1級倍壓模塊中的第三節點相連，所述第二電源轉換單元的輸出端與所述第二電容相連，所述第二電源轉換單元用于輸出第二電壓信號，所述第二電壓信號的最大電壓為所述輸入電壓提供端提供的輸入電壓的m倍；所述第二時鐘信號和所述第一時鐘信號互為差分時鐘信號。

可選地，所述第一電源轉換單元包括：第三PMOS管，所述第三PMOS管的源端與所述第m-1級倍壓模塊中的第一節點相連；第四PMOS管，所述第四PMOS管的源端與所述第m-1級倍壓模塊中的第一節點相連；第一NMOS管，所述第一NMOS管的柵端接收所述第一時鐘信號，所述第一NMOS管的源端接地，所述第一NMOS管的漏端與所述第三PMOS管的漏端相連，所述第一NMOS管的漏端與所述第三PMOS管的漏端之間具有第五節點，所述第五節點與所述第四PMOS管的柵端相連；第二NMOS管，所述第二NMOS管的源端接地，所述第二NMOS管的漏端與所述第四PMOS管的漏端相連，所述第二NMOS管的漏端與所述第四PMOS管的漏端之間具有第六節點，所述第六節點與所述第三PMOS管的柵端相連，所述第六節點作為所述第一電源轉換單元的輸出端；第一反相器，所述第一反相器的輸入端接收所述第一時鐘信號，所述第一反相器的電源端與電源相連，所述第一反相器的輸出端與所述第二NMOS管的柵端相連，所述第一NMOS管的柵端和所述第一反相器的輸入端作為所述第一電源轉換單元的輸入端。