本發明提供了一種改善臺階側壁的薄膜刻蝕不完全的結構及方法，該結構包括：在臺階側壁依次設置的且高度遞減的至少一個支撐層，使得支撐層形成的結構的頂部形成遞減緩變坡度，從而使得后續沉積的薄膜在臺階側壁處也呈緩變遞減的坡度，臺階側壁的薄膜的厚度與臺階表面的薄膜的厚度較為一致，那么在后續刻蝕臺階側壁的薄膜時，可以有效避免現有的由于側壁薄膜較厚而且橫向刻蝕速率較低，導致臺階側壁的薄膜刻蝕不完全的問題。

技術領域

本發明涉及集成電路制造技術領域，具體涉及一種改善臺階側壁的薄膜刻蝕不完全的結構及方法。

背景技術

常規MEMS、紅外傳感器工藝等中會出現高臺階結構，一旦形成高臺階，后續薄膜沉積在臺階表面和側壁，會在側壁上形成較厚的豎直向上的薄膜，而在圖形化該薄膜時，由于側壁的薄膜較厚，而常規半導體工藝的橫向刻蝕速率較低，導致臺階側壁的薄膜刻蝕不完全；尤其是金屬薄膜，會沿著臺階周邊側壁而保留，引起短路的問題和風險。

發明內容

為了克服以上問題，本發明旨在提供一種改善臺階側壁的薄膜刻蝕不完全的結構和方法。

為了達到上述目的，本發明提供了一種改善臺階側壁的薄膜刻蝕不完全的結構，其包括：在臺階側壁依次設置的且高度遞減的至少一個支撐層，使得支撐層形成的結構的頂部形成遞減緩變坡度。

優選地，所述支撐層的頂部和外側面形成連續的圓弧狀。

優選地，支撐層的高度呈等差遞減；最高的支撐層的高度與最低的支撐層的高度的比為(2～4):1。

優選地，相鄰的支撐層中，靠近臺階側壁的一個支撐層的材料和與之相鄰的遠離臺階側壁的一個支撐層的材料的刻蝕選擇比小于1。

優選地，臺階的材料為Si、SiGe或VOx，支撐層具有三個，從臺階側壁向外依次為第一支撐層、第二支撐層和第三支撐層；所述第一支撐層的材料為SiN，所述第二支撐層的材料為SiON，所述第三支撐層的材料為SiO₂。

為了達到上述目的，本發明還提供了一種上述所述的改善臺階側壁的薄膜刻蝕不完全的結構的制備方法，其包括：

步驟01：提供一襯底；襯底表面具有臺階；

步驟02：在襯底表面沉積至少一層薄膜，并在每次沉積一層薄膜之后，對該層薄膜進行刻蝕，去除位于臺階頂部的該層薄膜，并且保留位于臺階側壁的該層薄膜，從而形成至少一個支撐層，而且，每次對薄膜的刻蝕速率遞增，從而使得支撐層形成的結構的頂部形成遞減緩變坡度。

優選地，所述步驟02中，除了第一次刻蝕之外，以后的每一次對薄膜的刻蝕都具有一個過刻蝕過程，使得每一次刻蝕之后的臺階側壁的支撐層頂部遞減。

優選地，每一次過刻蝕時刻蝕掉的臺階側壁的薄膜的高度相同。

優選地，所述步驟02中對薄膜的刻蝕采用等離子體各向異性干法刻蝕工藝。

優選地，所述步驟01中，還包括：在臺階表面和側壁形成一層刻蝕阻擋層，該刻蝕阻擋層與支撐層的刻蝕比小于1；步驟02中，在最后一個支撐層形成之后還包括：去除臺階表面的刻蝕阻擋層。

本發明通過在臺階側壁設置具有緩變遞減坡度的結構，使得后續沉積的薄膜在臺階側壁處也呈緩變遞減的坡度，臺階側壁的薄膜的厚度與臺階表面的薄膜的厚度較為一致，那么在后續刻蝕臺階側壁的薄膜時，可以有效避免現有的由于側壁薄膜較厚而且橫向刻蝕速率較低，導致臺階側壁的薄膜刻蝕不完全的問題。特別當臺階為敏感材料層時，臺階上后續要覆蓋的薄膜為金屬薄膜時，由于有了本發明的臺階側壁的呈緩變遞減坡度的結構，可以避免臺階側壁的金屬薄膜刻蝕不完全的問題，從而避免短路或斷路現象的發生。

附圖說明

圖1為本發明的一個較佳實施例的臺階側壁的側墻結構的示意圖