[發(fā)明專利]消除MOCVD設(shè)備反應(yīng)腔內(nèi)水氧分子雜質(zhì)的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201611242429.7 | 申請日： | 2016-12-29 |
| 公開（公告）號： | CN106702348B | 公開（公告）日： | 2019-06-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 焦建軍;黃小輝;周德保;康建;梁旭東 | 申請（專利權(quán)）人： | 圓融光電科技股份有限公司 |
| 主分類號： | C23C16/44 | 分類號： | C23C16/44 |
| 代理公司： | 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205 | 代理人： | 張洋;黃健 |
| 地址： | 243000 安徽省馬鞍*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 反應(yīng)腔 氧分子 混合氣體 雙環(huán)戊二烯 低溫烘烤 惰性氣體 高溫烘烤 三甲基鋁 三甲基鎵 使用壽命 中溫烘烤 沉積 內(nèi)壁 去除 體內(nèi) | ||
1.一種消除MOCVD設(shè)備反應(yīng)腔內(nèi)水氧分子雜質(zhì)的方法，其特征在于，包括：
通入惰性氣體至所述MOCVD設(shè)備反應(yīng)腔；
在所述惰性氣體氛圍下，對所述反應(yīng)腔依次進(jìn)行低溫烘烤、中溫烘烤和高溫烘烤；
將三甲基鋁TMAL和混合氣體通入所述反應(yīng)腔，以使所述水氧分子雜質(zhì)與所述TMAL反應(yīng)；
將三甲基鎵TMGA、雙環(huán)戊二烯鎂CP2MG和所述混合氣體通入所述反應(yīng)腔，以使所述水氧分子雜質(zhì)與所述TMGA和CP2MG反應(yīng)，得到的反應(yīng)產(chǎn)物沉積在反應(yīng)腔的內(nèi)壁；
其中，在所述低溫烘烤的階段，所述反應(yīng)腔的溫度為30-90℃，在所述中溫烘烤的階段，所述反應(yīng)腔的溫度為91-600℃，在所述高溫烘烤的階段，所述反應(yīng)腔的溫度為601-1200℃。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述低溫烘烤的時間為30-1000分鐘。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述中溫烘烤的時間為30-1000分鐘。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述高溫烘烤的時間為30-1000分鐘；其中，所述反應(yīng)腔的溫度大于1000℃的時間大于30分鐘。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，將三甲基鋁TMAL和混合氣體通入所述反應(yīng)腔，以使所述水氧分子雜質(zhì)與所述TMAL反應(yīng)，包括：
將所述混合氣體通入所述反應(yīng)腔，所述混合氣體包括氮?dú)狻錃夂桶睔猓獨(dú)狻錃夂桶睔獾牧髁勘壤秊?5:42:150；
以30-300ml/min的流量將所述TMAL通入所述反應(yīng)腔；
其中，所述反應(yīng)腔的溫度為900-1200℃，反應(yīng)時間為30-90分鐘。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，將三甲基鎵TMGA和混合氣體通入所述反應(yīng)腔，以使所述水氧分子雜質(zhì)與所述TMAL反應(yīng)的反應(yīng)產(chǎn)物沉積，包括：
將所述混合氣體通入所述反應(yīng)腔，所述混合氣體包括氮?dú)狻錃夂桶睔猓獨(dú)狻錃夂桶睔獾牧髁勘壤秊?5:42:150；
以100-600ml/min的流量將所述TMGA通入所述反應(yīng)腔；
以100-1000ml/min的流量將所述CP2MG通入所述反應(yīng)腔；
其中，所述反應(yīng)腔的溫度為大于1000℃，反應(yīng)時間為30-120分鐘。
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C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴(kuò)散法，化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆，例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機(jī)材料為特征的
