[發(fā)明專利]一種鈣鈦礦太陽(yáng)能電池漸變異質(zhì)結(jié)電子傳輸層的制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201611198533.0 | 申請(qǐng)日: | 2016-12-22 |
| 公開(公告)號(hào): | CN106711333B | 公開(公告)日: | 2019-01-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 楊化桂;陳瀟;侯宇;楊雙 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 華東理工大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01L51/42 | 分類號(hào): | H01L51/42;H01L51/48 |
| 代理公司: | 上海新天專利代理有限公司 31213 | 代理人: | 龔敏 |
| 地址: | 200237 *** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電子傳輸層 導(dǎo)電玻璃 異質(zhì)結(jié) 漸變 區(qū)域分布 制備 太陽(yáng)能電池 低溫溶劑 鈣鈦礦 熱過(guò)程 高光電轉(zhuǎn)換效率 導(dǎo)電玻璃基 氧化錫納米 氧化鈦納米 鈦源前驅(qū)體 顆粒組成 梯度變化 一步煅燒 前驅(qū)體 氧化錫 氧化鈦 錫源 | ||
本發(fā)明涉及一種具有高光電轉(zhuǎn)換效率的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池漸變異質(zhì)結(jié)電子傳輸層的制備方法。本發(fā)明在導(dǎo)電玻璃基底上,通過(guò)兩步低溫溶劑熱過(guò)程以及一步煅燒處理制備出漸變異質(zhì)結(jié)電子傳輸層;所述兩步低溫溶劑熱過(guò)程先后采用錫源前驅(qū)體和鈦源前驅(qū)體;所述該漸變異質(zhì)結(jié)電子傳輸層由分布呈梯度變化的氧化錫以及氧化鈦納米顆粒組成;所述氧化錫納米顆粒在近導(dǎo)電玻璃區(qū)域分布多,在遠(yuǎn)導(dǎo)電玻璃區(qū)域分少;所述氧化鈦在遠(yuǎn)導(dǎo)電玻璃區(qū)域分布多,在近導(dǎo)電玻璃區(qū)域分布少。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種具有高光電轉(zhuǎn)換效率的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池漸變異質(zhì)結(jié)電子傳輸層的制備方法。該漸變異質(zhì)結(jié)電子傳輸層在鈣鈦礦電池中有優(yōu)秀的光電轉(zhuǎn)換效率以及弱的磁滯效應(yīng)。
背景技術(shù)
能源短缺和環(huán)境污染是目前人類急需解決的兩大問(wèn)題。一方面我們需要節(jié)能,減少能源的消耗,并且盡可能的使用可再生的清潔能源;另一方面我們必須減少污染物的排放,消除環(huán)境污染。太陽(yáng)光是清潔能源,如何把太陽(yáng)光轉(zhuǎn)化為我們方便使用的能源以及利用太陽(yáng)光消除環(huán)境污染成為研究熱點(diǎn)。
鈣鈦礦電池作為新型的光電轉(zhuǎn)換設(shè)備,由于具有全溶液制備、廉價(jià)以及光電轉(zhuǎn)換效率高等優(yōu)點(diǎn),被科研界以及企業(yè)界廣泛關(guān)注。典型的鈣鈦礦電池由電子傳輸層、鈣鈦礦光吸收層、空穴傳輸層以及背電極組成。電子傳輸層能選擇性地從鈣鈦礦光吸收層中攝取光生電子,并將電子傳輸至導(dǎo)電玻璃,抑制界面處的電子空穴復(fù)合。到目前為止,最廣泛使用的電子傳輸層材料是氧化鈦。然而,氧化鈦的本征電子遷移率較低(0.1-1cm2V-1s-1),遠(yuǎn)低于鈣鈦礦材料的本征電子遷移率(20-30cm2V-1s-1)。電子遷移率的差距導(dǎo)致電子容易富集在氧化鈦鈣鈦礦的界面處,進(jìn)而導(dǎo)致了所謂的磁滯現(xiàn)象。氧化錫具有較高的本征電子遷移率(100-200cm2V-1s-1),然而,基于氧化錫電子傳輸層的鈣鈦礦電池中電子空穴復(fù)合現(xiàn)象嚴(yán)重。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于開發(fā)一種制備高光電轉(zhuǎn)換效率的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池漸變異質(zhì)結(jié)電子傳輸層的制備方法。
一種鈣鈦礦太陽(yáng)能電池漸變異質(zhì)結(jié)電子傳輸層的制備方法,包含如下步驟:
將清洗干凈的導(dǎo)電玻璃放置到70℃的錫源前驅(qū)體溶液中,反應(yīng)4小時(shí)。隨后將導(dǎo)電玻璃用去離子水以及乙醇清洗吹干,再次放置到70℃的鈦源前驅(qū)體溶液中,反應(yīng)40分鐘。將導(dǎo)電玻璃取出,用去離子水以及乙醇清洗吹干。最后將導(dǎo)電玻璃在空氣中500℃條件下煅燒30分鐘。
所述的導(dǎo)電玻璃放置方法是導(dǎo)電面朝下,導(dǎo)電玻璃與反應(yīng)容器壁呈45°,斜靠在反應(yīng)器內(nèi)壁上。
所述的錫源前驅(qū)體是四氯化錫。
所述的鈦源前驅(qū)體是四氯化鈦。
所述的漸變異質(zhì)結(jié)電子傳輸層由分布呈梯度變化的氧化錫以及氧化鈦納米顆粒組成,氧化錫納米顆粒在近導(dǎo)電玻璃區(qū)域分布多,在遠(yuǎn)導(dǎo)電玻璃區(qū)域分布少。氧化鈦在遠(yuǎn)導(dǎo)電玻璃區(qū)域分布多,在近導(dǎo)電玻璃區(qū)域分布少。
與傳統(tǒng)氧化鈦電子傳輸層相比,本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn):本發(fā)明利用兩步低溫溶劑熱過(guò)程制備了氧化錫-氧化鈦漸變異質(zhì)結(jié)電子傳輸層,該電子傳輸層能有效的傳輸電子,抑制電子空穴的復(fù)合現(xiàn)象,使得鈣鈦礦電池的光電轉(zhuǎn)換效率可達(dá)16.71%,遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)氧化鈦電子傳輸層電池12.02%的光電轉(zhuǎn)換效率。并且,磁滯現(xiàn)象也有明顯降低。綜上,本發(fā)明合成過(guò)程簡(jiǎn)單,光電轉(zhuǎn)換效率高,磁滯現(xiàn)象較低。
附圖說(shuō)明
圖1是本發(fā)明制備方法的流程示意圖;
圖2是實(shí)施例1所制備的漸變異質(zhì)結(jié)電子傳輸層的掃描電子顯微鏡照片;
圖3是實(shí)施例1所制備的漸變異質(zhì)結(jié)電子傳輸層的透射電子顯微鏡照片;
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于華東理工大學(xué),未經(jīng)華東理工大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.17sss.com.cn/pat/books/201611198533.0/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
- 用于測(cè)試異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的IV測(cè)試儀
- 異質(zhì)結(jié)遂穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制備方法
- 基于天線直接匹配的鍺硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管探測(cè)器
- 一種具有鈣鈦礦能級(jí)修飾層的雙體異質(zhì)結(jié)有機(jī)太陽(yáng)能電池及其制備方法
- 一種硫化鉬-石墨烯異質(zhì)結(jié)光電導(dǎo)探測(cè)器及其制備方法
- 一種異質(zhì)結(jié)電池制備方法
- 一種微管式三維異質(zhì)結(jié)器件結(jié)構(gòu)及其制備方法和應(yīng)用
- 半導(dǎo)體器件制備方法及半導(dǎo)體器件
- 高效異質(zhì)結(jié)光伏組件
- 異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池片的制造方法及異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池片





