1.一種通孔上MTM反熔絲結構，包括襯底(1)以及位于所述襯底(1)上的器件層(2)；其特征是：在所述器件層(2)上壓蓋有熔絲封體(20)，在所述熔絲封體(20)內設有熔絲下電極，在所述熔絲封體(20)外設有熔絲上電極(21)，所述熔絲上電極(21)位于熔絲下電極的正上方；在所述熔絲上電極(21)與熔絲下電極間設有反熔絲介質結構以及反熔絲底層阻擋體(17)，所述反熔絲底層阻擋體(17)在熔絲封體內包裹熔絲下電極的頂端，反熔絲介質結構支撐于反熔絲底層阻擋體(17)上，熔絲上電極(21)支撐于反熔絲介質結構上。

2.根據權利要求1所述的通孔上MTM反熔絲結構，其特征是：所述熔絲下電極包括位于器件層(2)上的器件層連接體(12)以及位于所述器件層連接體(12)上的填充連接柱(5)，所述填充連接柱(5)與器件層連接體(12)相垂直，反熔絲底層阻擋體(17)包裹填充連接柱(5)的頂端，且在所述填充連接柱(5)的外側還設有側墻(16)，所述側墻(16)位于反熔絲底層阻擋體(17)上。

3.根據權利要求1所述的通孔上MTM反熔絲結構，其特征是：所述反熔絲介質結構包括位于反熔絲底層阻擋體(17)上的反熔絲介質體(18)以及位于所述反熔絲介質體(18)上的反熔絲上層阻擋體(19)，熔絲上電極(21)位于反熔絲上層阻擋體(19)上。

4.一種通孔上MTM反熔絲結構的制備工藝，其特征是，所述制備工藝包括如下步驟：

步驟1、提供具有器件層(2)的襯底(1)，并在所述器件層(2)上裝置反熔絲下層金屬(3)，所述反熔絲下層金屬(3)覆蓋在器件層(2)上，并與器件層(2)電連接；

步驟2、對上述的反熔絲下層金屬(3)進行刻蝕，以在器件層(2)上得到兩個相互分離的器件層連接體(12)；在得到器件層連接體(12)后，在器件層(2)上淀積金屬間介質層(4)，所述金屬間介質層(4)覆蓋并壓蓋在器件層(2)以及器件層連接體(12)上；

步驟3、選擇性地掩蔽和刻蝕上述金屬間介質層(4)，以得到貫通金屬間介質層(4)的填充槽(14)，所述填充槽(14)位于器件層連接體(12)的正上方；在得到填充槽(14)后，在金屬間介質層(4)上方淀積得到反熔絲填充體(13)，所述反熔絲填充體(13)填充在填充槽(14)內并覆蓋在金屬間介質層(4)上，且反熔絲填充體(13)與器件層連接體(12)電連接；

步驟4、對上述的反熔絲填充體(13)進行CMP工藝，以去除覆蓋于金屬間介質層(4)上的反熔絲填充體(13)，得到填充連接柱(5)，所述填充連接柱(5)垂直分布于器件層連接體(12)上，且填充連接柱(5)的頂端位于金屬間介質層(4)上方；

步驟5、在上述金屬間介質層(4)上方淀積得到反熔絲底層阻擋層(6)以及位于所述反熔絲底層阻擋層(6)上的反熔絲側墻層(7)，所述反熔絲底層阻擋層(6)覆蓋在金屬間介質層(4)上，并覆蓋包圍填充連接柱(5)的頂部；

步驟6、對上述的反熔絲側墻層(7)進行刻蝕，以得到側墻(16)，所述側墻(16)位于填充連接柱(5)頂端的外側；

步驟7、在上述反熔絲底層阻擋層(6)上淀積得到反熔絲介質層(8)以及覆蓋在所述反熔絲介質層(8)上的反熔絲上層阻擋層(9)；

步驟8、對上述反熔絲上層阻擋層(9)、反熔絲介質層(8)以及反熔絲底層阻擋層(6)進行刻蝕，以得到包裹填充連接柱(5)頂部的反熔絲底層阻擋體(17)、位于所述反熔絲底層阻擋體(17)的側墻(16)、支撐于所述反熔絲底層阻擋層(17)及側墻(16)上的反熔絲介質體(18)、以及位于所述反熔絲介質層(18)上的反熔絲上層阻擋體(19)；

步驟9、在上述反熔絲上層阻擋體(19)上淀積得到反熔絲隔離氧化層(10)，所述反熔絲隔離氧化層(10)覆蓋在金屬間介質層(4)上，并壓蓋包圍反熔絲底層阻擋體(17)、側墻(16)、反熔絲介質體(18)以及反熔絲上層阻擋體(19)；

步驟10、對上述的反熔絲隔離氧化層(10)進行CMP工藝，以露出反熔絲上層阻擋體(19)的上部露出，且CMP工藝后的反熔絲隔離氧化層(10)與金屬間介質層(4)形成熔絲封體(20)；

步驟11、在上述熔絲封體(20)上淀積得到頂層金屬層(11)，所述頂層金屬層(11)覆蓋在熔絲封體(20)以及反熔絲上層阻擋體(19)上；

步驟12、對上述頂層金屬層(11)進行刻蝕，以形成反熔絲上電極(21)，所述反熔絲上電極(21)支撐并位于反熔絲上層阻擋體(19)上。