1.一種集成式半導體功率開關(guān)器件，其特征在于，集成有功率開關(guān)和過流檢測保護電路，所述功率開關(guān)電連接至所述過流檢測保護電路。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成式半導體功率開關(guān)器件，其特征在于，包括：

采樣單元，用于采樣功率開關(guān)輸出的電流信號；

信號處理單元，所述信號處理單元的輸入端電連接所述采樣單元，用于至少將所述采樣單元采樣的電信號與參考信號進行比較；

驅(qū)動關(guān)斷單元，所述驅(qū)動關(guān)斷單元的輸入端電連接所述信號處理單元的輸出端，用于根據(jù)所述信號處理單元的比較結(jié)果，在判定所述功率開關(guān)過流時關(guān)斷提供給所述功率開關(guān)的驅(qū)動信號。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的集成式半導體功率開關(guān)器件，其特征在于，所述采樣單元包括電流采樣電阻；

所述電流采樣電阻的第一端接所述功率開關(guān)的輸出端，第二端接地。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的集成式半導體功率開關(guān)器件，其特征在于，所述信號處理單元包括放大器和比較器；

所述放大器的第一輸入端電連接所述電流采樣電阻的第一端，所述放大器的第二輸入端電連接所述電流采樣電阻的第二端；

所述放大器的輸出端電連接所述比較器的輸入端。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的集成式半導體功率開關(guān)器件，其特征在于，所述驅(qū)動關(guān)斷單元包括PMOS管和NMOS管；

所述PMOS管和NMOS管的柵極電連接所述比較器的輸出端，所述PMOS管和NMOS管的漏極電連接所述功率開關(guān)的驅(qū)動控制端，所述PMOS管的源極接驅(qū)動信號，所述NMOS管的源極接地。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的集成式半導體功率開關(guān)器件，其特征在于，所述驅(qū)動關(guān)斷單元包括PNP型三極管和NPN型三極管；

所述PNP型三極管和NPN型三極管的基極電連接所述比較器的輸出端，所述PNP型三極管和NPN型三極管的集電極電連接所述功率開關(guān)的驅(qū)動控制端，所述PNP型三極管的發(fā)射極接驅(qū)動信號，所述NPN型三極管的發(fā)射極接地。

7.根據(jù)權(quán)利要求4-6任一項所述的集成式半導體功率開關(guān)器件，其特征在于，所述過流檢測保護電路還包括供電單元；

所述供電單元電連接所述信號處理單元，用于為所述放大器和所述比較器提供供電電壓，同時為所述比較器提供參考電壓，作為所述參考信號。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的集成式半導體功率開關(guān)器件，其特征在于，所述供電單元包括電源、整流電路和分壓電路；

所述電源連接所述整流電路的輸入端，所述整流電路的輸出端電連接所述分壓電路的輸入端，所述分壓電路用于產(chǎn)生所述供電電壓和所述參考電壓。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的集成式半導體功率開關(guān)器件，其特征在于，所述電源還用于為所述功率開關(guān)提供高電平信號。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的集成式半導體功率開關(guān)器件，其特征在于，所述功率開關(guān)、所述采樣單元、所述信號處理單元、所述驅(qū)動關(guān)斷單元和所述供電單元集成于一封裝殼體內(nèi)，或者集成一半導體芯片上。