[發(fā)明專利]QLED及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201611159253.9 | 申請日： | 2016-12-15 |
| 公開（公告）號： | CN106784212B | 公開（公告）日： | 2019-09-17 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 劉佳;曹蔚然;向超宇;錢磊 | 申請（專利權(quán)）人： | TCL集團股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/06 | 分類號： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 深圳中一專利商標(biāo)事務(wù)所 44237 | 代理人： | 黃志云 |
| 地址： | 516006 廣東省*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | qled 及其 制備 方法 | ||
1.一種QLED，其特征在于，包括依次層疊設(shè)置的基板、陽極、氧化石墨烯層、量子點發(fā)光層、氧化石墨烯衍生物層和陰極，其中，所述氧化石墨烯衍生物層的材料為氧化石墨烯衍生物，且所述氧化石墨烯衍生物包括GO-Cs、GO-Rb中的至少一種。
2.如權(quán)利要求1所述的QLED，其特征在于，所述氧化石墨烯層的厚度為30-50nm。
3.如權(quán)利要求1所述的QLED，其特征在于，所述氧化石墨烯衍生物層的厚度為30-60nm。
4.如權(quán)利要求1-3任一所述的QLED，其特征在于，還包括空穴傳輸層、電子傳輸層中的至少一層。
5.如權(quán)利要求1所述的QLED，其特征在于，所述氧化石墨烯層與所述量子點發(fā)光層之間還包括空穴傳輸層，所述量子點發(fā)光層與所述氧化石墨烯衍生物層之間還包括電子傳輸層。
6.一種QLED的制備方法，包括以下步驟：
提供基板，在所述基板上沉積陽極，在所述陽極上沉積氧化石墨烯水溶液，形成氧化石墨烯層；
在所述氧化石墨烯層上沉積量子點發(fā)光層，在所述量子點發(fā)光層上沉積氧化石墨烯衍生物，形成氧化石墨烯衍生物層，所述氧化石墨烯衍生物包括GO-Cs、GO-Rb中的至少一種；
在所述氧化石墨烯衍生物層上沉積陰極。
7.如權(quán)利要求6所述的QLED的制備方法，其特征在于，所述氧化石墨烯衍生物的制備方法為：
提供氧化石墨烯水溶液，在所述氧化石墨烯水溶液中加入Cs2CO3和/或Rb2CO3進行加熱處理，得到氧化石墨烯中羧基質(zhì)子被Cs和/或Rb取代的氧化石墨烯衍生物GO-Cs和/或GO-Rb。
8.如權(quán)利要求7所述的QLED的制備方法，其特征在于，所述加熱處理的溫度為100-400℃，加熱時間為0.5-3h。
9.如權(quán)利要求6-8任一所述的QLED的制備方法，其特征在于，還包括制備電子傳輸層、空穴傳輸層中的至少一層。
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