1.一種方法，包括：

在腔室內的表面上制備含氮化硅的熱化學氣相沉積涂層；

其中，在所述表面上制備含氮化硅的熱化學氣相沉積涂層的過程中，流入和流出所述腔室是受限的或暫停的。

2.權利要求1的方法，其中制備過程包括將三甲硅烷基胺引入所述腔室中。

3.權利要求2的方法，其中三甲硅烷基胺的引入包括：當所述腔室處于第一壓力時，打開與包含所述三甲硅烷基胺的容器連接的流量控制裝置，然后當所述腔室內的壓力處于第二壓力時，閉合流量控制裝置，第一壓力與第二壓力不同。

4.權利要求2的方法，其中制備過程還包括在引入三甲硅烷基胺的同時，將氨引入所述腔室中。

5.權利要求2的方法，其中制備過程還包括在引入三甲硅烷基胺之前，將氨引入所述腔室中。

6.權利要求2的方法，其中制備過程還包括在引入三甲硅烷基胺之后，將氨引入所述腔室中。

7.權利要求2的方法，其中引入過程包括：當所述腔室處于第一壓力時，打開與包含所述胺的容器連接的流量控制裝置，然后當所述腔室內的壓力處于第二壓力時，閉合流量控制裝置，第一壓力與第二壓力不同。

8.權利要求1的方法，其中制備過程在至少325℃的溫度下進行。

9.權利要求1的方法，其中制備過程包括氧化，所述氧化在至少300℃的溫度下進行。

10.權利要求1的方法，其中所述含氮化硅的熱化學氣相沉積涂層是純的或基本上純的氮化硅。

11.權利要求1的方法，其中所述含氮化硅的熱化學氣相沉積涂層包括氧氮化硅。

12.權利要求1的方法，其中所述含氮化硅的熱化學氣相沉積涂層是官能化的。

13.權利要求1的方法，其還包括在所述含氮化硅的熱化學氣相沉積涂層上制備額外的含氮化硅的熱化學氣相沉積涂層。

14.權利要求13的方法，其中所述額外的含氮化硅的熱化學氣相沉積涂層具有第一厚度且所述含氮化硅的熱化學氣相沉積涂層具有第二厚度，第一厚度和第二厚度不同。

15.權利要求1的方法，其中所述表面是金屬的或金屬性的。

16.權利要求1的方法，其中所述表面至少具有被遮擋而無法看見的隱蔽部分。

17.通過權利要求1的方法制備的表面。

18.一種表面，其包含含氮化硅的熱化學氣相沉積涂層，其中所述表面至少具有被遮擋而無法看見的隱蔽部分。

19.一種制品，包含：

在腔室內的表面上的含氮化硅的熱化學氣相沉積涂層；

其中所述表面至少具有被遮擋而無法看見的隱蔽部分。