[發明專利]半導體結構及其制造方法在審
| 申請號： | 201611153074.4 | 申請日： | 2016-12-14 |
| 公開（公告）號： | CN107452677A | 公開（公告）日： | 2017-12-08 |
| 發明（設計）人： | 沈維晟;張儀賢;蔡易恒;鄭創仁 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/78 | 分類號： | H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知識產權代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李偉 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 結構 及其 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種制造半導體結構的方法，包括：
提供第一晶圓；
提供具有第一表面和與所述第一表面相對的第二表面的第二晶圓；
使所述第二晶圓的第一表面與所述第一晶圓接觸；以及
在所述第二晶圓的第二表面上形成多條劃線；
其中，所述多條劃線從所述第二晶圓的第三表面突出，并且所述第三表面介于所述第一表面和所述第二表面之間。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
