1.一種化合物合成裝置，其特征在于，所述裝置包括：主控裝置、真空裝置以及合成裝置，所述合成裝置包括碳化物合成裝置、碳氫化合物合成裝置以及苯合成裝置，所述主控裝置分別與所述合成裝置、所述真空裝置連接，所述碳化物合成裝置與所述碳氫化合物合成裝置連接，所述碳氫化合物合成裝置與所述苯合成裝置連接；

所述主控裝置用于控制所述合成裝置將待測試樣品合成苯；

所述碳化物合成裝置用于將所述待測試樣品合成碳化物；

所述碳氫化合物合成裝置用于將所述碳化物合成碳氫化合物；

所述苯合成裝置用于將所述碳氫化合物合成所述苯。

2.根據所述權利要求1所述的化合物合成裝置，其特征在于，所述碳化物合成裝置包括多個第一反應釜、多個第一電磁閥以及用于裝載反應試劑的第一試劑瓶，所述多個第一反應釜用于將所述待測試樣品合成二氧化碳，所述多個第一電磁閥分別與所述多個第一反應釜、所述第一試劑瓶連接。

3.根據所述權利要求2所述的化合物合成裝置，其特征在于，所述碳氫化合物合成裝置包括多個第二反應釜、多個第二電磁閥、多個水冷裝置以及多個第一電加熱裝置，所述多個第二反應釜用于將所述二氧化碳合成乙炔，每個所述第二反應釜分別與每個所述水冷裝置、每個所述第一電加熱裝置連接，所述多個第二電磁閥與所述多個水冷裝置連接。

4.根據所述權利要求3所述的化合物合成裝置，其特征在于，所述苯合成裝置包括多個第三反應釜、多個第三電磁閥以及多個第二電加熱裝置，所述多個第三反應釜與所述多個第三電磁閥連接，每個所述第三反應釜與每個所述第二電加熱裝置連接。

5.根據所述權利要求3所述的化合物合成裝置，其特征在于，所述苯合成裝置還包括冷肼裝置，所述冷肼裝置用于對所述苯合成裝置中產生的所述二氧化碳與所述乙炔進行提純。

6.根據所述權利要求5所述的化合物合成裝置，其特征在于，所述冷肼裝置包括多個冷肼源、多個第四電磁閥、多個第三電加熱裝置、多個拉桿式電磁鐵以及多個冷杯，每個所述冷杯設置在每個所述拉桿式電磁鐵與每個所述第三電加熱裝置之間，每個所述冷肼源與每個所述第三電加熱裝置連接，所述多個第四電磁閥與所述多個冷肼源連接，所述拉桿式電磁鐵用于移動所述冷杯，使得所述多個冷肼源冷卻。

7.根據所述權利要求1所述的化合物合成裝置，其特征在于，所述真空裝置包括分子泵與真空泵。

8.根據所述權利要求1所述的化合物合成裝置，其特征在于，所述主控裝置包括終端設備、信號采集裝置以及可編程邏輯控制器，所述終端設備分別與所述信號采集裝置、所述可編程邏輯控制器耦合，所述信號采集裝置、所述可編程邏輯控制器均與所述合成裝置耦合；所述信號采集裝置用于采集溫度信號與真空信號，所述終端設備用于根據所述采集溫度信號與所述真空信號控制所述可編程邏輯控制器，所述可編程邏輯控制器用于控制所述合成裝置將所述待測樣品合成苯。

9.根據所述權利要求8所述的化合物合成裝置，其特征在于，所述信號采集裝置包括溫度傳感器和真空傳感器，所述溫度傳感器用于采集所述溫度信號，所述真空傳感器用于采集所述真空信號。

10.一種化合物合成方法，應用于化合物合成裝置，所述化合物合成裝置包括：包括：主控裝置、真空裝置以及合成裝置，所述合成裝置包括碳化物合成裝置、碳氫化合物合成裝置以及苯合成裝置，所述主控裝置分別與所述合成裝置、所述真空裝置連接，所述碳化物合成裝置與所述碳氫化合物合成裝置連接，所述碳氫化合物合成裝置與所述苯合成裝置連接；其特征在于，所述方法包括：

所述苯合成裝置獲取待測試樣品；

所述碳化物合成裝置將所述待測試樣品合成碳化物；

所述碳氫化合物合成裝置將所述碳化物合成碳氫化合物；

所述苯合成裝置將所述碳氫化合物合成苯。