1.一種在基底上制造裝置結構的方法，該方法包含：

在該基底的第一裝置區上形成第一基極層；

形成與該第一基極層界定第一接面的第一射極；

在該基底的第二裝置區上形成第二基極層；以及

形成與該第二基極層界定第二接面的第二射極，

其中，該第一基極層與該第二基極層有不同的厚度、組成、電活性摻質的濃度、或以上的組合。

2.如權利要求1所述的方法，其中，該第一基極層在該第二裝置區上及約束該第二裝置區的多個溝槽隔離區上形成，以及在該基底的該第二裝置區上形成該第二基極層，包含：

形成穿過該第一基極層延伸至該第二裝置區的開口，

其中，該第二基極層的一部分在該第二裝置區上的該開口內側形成。

3.如權利要求2所述的方法，其更包含：

在形成該第二基極層之前以及在形成該開口之前，在該第一基極層上形成第一犧牲層，

其中，該開口延伸穿過該第一犧牲層。

4.如權利要求3所述的方法，其更包含：

在形成該開口之后以及形成該第二基極層之前，在該開口的周緣處形成間隔物。

5.如權利要求2所述的方法，其更包含：

在形成該第二基極層之前以及在形成該開口之前，在該第一基極層上形成第二犧牲層，

其中，該開口延伸穿過該第二犧牲層。

6.如權利要求1所述的方法，其中，該第一基極層及該第二基極層藉由非選擇性磊晶形成。

7.如權利要求1所述的方法，其中，該第一基極層與該第二基極層有不同的組成，該第一基極層與該第二基極層由硅鍺所構成，該第一基極層具有第一鍺含量分布，且該第二基極層具有與該第一鍺含量分布不同的第二鍺含量分布。

8.如權利要求1所述的方法，其中，該第一射極與該第二射極同時形成。

9.如權利要求1所述的方法，其更包含：

在形成該第一基極層與該第二基極層之后，將電活性摻質植入該第一基極層相鄰于該第一射極的第一部分，以及植入該第二基極層相鄰于該第二射極的第二部分。

10.如權利要求1所述的方法，其更包含：

在該第一基極層與該第二基極層上沉積外質基極層，

其中，該第一射極與該第二射極位于延伸穿過該外質基極層的各別射極開口中。

11.一種裝置結構，其包含：

第一基極層，位在基底的第一裝置區上；

第一射極，位在該第一基極層上，該第一射極與該第一基極層界定第一接面；

第二基極層，位在該基底的第二裝置區上；以及

第二射極，位在該第二基極層上，該第二射極與該第二基極層界定第二接面，

其中，該第一基極層與該第二基極層有不同的厚度、組成、電活性摻質的濃度、或以上的組合。

12.如權利要求11所述的裝置結構，其中，該第二裝置區是由該基底中的多個溝槽隔離區所界定，該第一基極層在該第二裝置區上及該溝槽隔離區上形成，且該第二基極層的一部分位在穿過該第一基極層延伸至該第二裝置區的開口內側。

13.如權利要求12所述的裝置結構，其更包含：

在形成該第二基極層之前以及在形成該開口之前，在該第一基極層上形成第一犧牲層，

其中，該開口延伸穿過該第一犧牲層。

14.如權利要求13所述的裝置結構，其更包含：

多個間隔物，位于該開口的周緣處。

15.如權利要求14所述的裝置結構，其中，該第一基極層包括位在該第一裝置區上的單晶區段以及位在該第一裝置區外側的非單晶區段，且該第二基極層包括位在該第二裝置區上的單晶區段以及位在該第二裝置區外側的非單晶區段。

16.如權利要求12所述的裝置結構，其更包含：

第二犧牲層，位在該第一基極層上，

其中，該開口延伸穿過該第二犧牲層。

17.如權利要求11所述的裝置結構，其中，該第一基極層與該第二基極層有不同的組成，該第一基極層與該第二基極層由硅鍺所構成，該第一基極層具有第一鍺含量分布，且該第二基極層具有與該第一鍺含量分布不同的第二鍺含量分布。