本發明提供一種濺射裝置。本發明一實施例的濺射裝置包括：工藝腔室；濺射靶，設置于所述工藝腔室的內部；基板架，與所述濺射靶相對配置，用于支撐待沉積濺射靶物質的基板；以及濺射靶驅動部，以使所述濺射靶傾斜的方式旋轉驅動所述濺射靶。

技術領域

本發明涉及一種濺射裝置，更詳細而言，涉及一種在基板上沉積薄膜的濺射裝置。

背景技術

濺射裝置為通過使等離子體離子加速并與濺射靶(Sputtering Target)碰撞而在基板上沉積靶物質的設備。如果在真空狀態下施加電壓并注入氬(Ar)氣或氧(O₂)氣等，則在氬氣或氧氣等被電離的同時這些離子與濺射靶碰撞。此時，從濺射靶中釋放原子，釋放出的原子附著在半導體元件用基板或液晶顯示裝置用基板上而形成薄膜。

與高溫下進行的化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition；CVD)工藝相比，濺射裝置具有在低溫下也能夠形成薄膜并且能夠以比較簡單的結構在短時間內形成薄膜的優點，因此在制造半導體元件或液晶顯示裝置時被廣泛利用。

但是，隨著基板的大面積化，需要具備多個濺射靶，并且產生等離子體的工藝腔室的大小也會增加。此時，具有因產生在工藝腔室內部的等離子體的分布不均勻而形成于基板的薄膜不均勻的問題。鑒于此，通過在多個濺射靶之間配置接地護罩(ground shield)來均勻地形成工藝腔室內部的等離子體分布。

但是，具有如下的問題：由于接地護罩的存在，形成于與濺射靶上部相對的基板部位和與接地護罩上部相對的基板部位的薄膜的厚度及密度不同，從而降低薄膜的均勻性。特別是，在使用對膜質的微小差異反應較大的氧化物系列的濺射靶的情況下，薄膜的均勻性確保比較重要。

發明內容

為了解決上述問題，本發明一實施例提供一種通過旋轉驅動濺射靶而均勻地形成薄膜的濺射裝置。

本發明一實施例的濺射裝置包括：工藝腔室；濺射靶，被設置于所述工藝腔室的內部；基板架，與所述濺射靶相對配置，用于支撐待沉積濺射靶物質的基板；以及濺射靶驅動部，以使所述濺射靶傾斜的方式旋轉驅動所述濺射靶。

可具備多個所述濺射靶，所述濺射靶驅動部能夠對多個所述濺射靶中的每一個進行驅動，以使多個所述濺射靶中的每一個分別傾斜。

所述濺射靶可形成為具有平面的桿(bar)形狀。

所述濺射靶驅動部可包括用于旋轉所述濺射靶的電動機，所述電動機以沿與所述濺射靶的長度方向平行的方向延伸的軸為中心旋轉驅動所述濺射靶。

所述濺射靶可以以25rpm至35rpm的速度旋轉。

所述濺射靶可在30度至45度的角度范圍內旋轉。

所述濺射靶可通過靶架來支撐，所述靶架與第一電極連接，所述基板架與第二電極連接，通過對所述第一電極和所述第二電極施加極性相反的電壓，從而在所述工藝腔室的內部形成等離子體。

本發明一實施例的濺射裝置在所述濺射靶的下部可進一步包括磁體，所述磁體用于將形成于所述工藝腔室的內部的等離子體維持在所述濺射靶的上部。

本發明一實施例的濺射裝置可進一步包括沉積掩模，所述沉積掩模被配置在所述濺射靶與被支撐在所述基板架的基板之間。

所述濺射靶和被支撐在所述基板架的基板可被配置為以140mm至160mm的間隔相隔。

本發明一實施例的濺射裝置可至少具備兩個以上的所述濺射靶，并且可進一步包括被配置在所述濺射靶之間的至少一個接地護罩。

所述接地護罩可形成為沿所述濺射靶的長度方向延伸。

所述接地護罩可由鈦(Titanium)來形成。