技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及LED驅(qū)動(dòng)電路技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種用于可控硅調(diào)光的線性LED驅(qū)動(dòng)電路。

背景技術(shù)

在LED線性驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)中，用于可控硅調(diào)光的電路常見如圖12所示。可控硅泄放電路通常是一路單獨(dú)的泄放電路，經(jīng)由BLD通道泄放，而LED電流則經(jīng)過(guò)另外一個(gè)通道。當(dāng)可控硅開關(guān)打開后，由于母線電壓上面的電壓不夠高，LED通道不能導(dǎo)通，此時(shí)BLD通道是導(dǎo)通的，用于提供可控硅開關(guān)的維持電流。隨著可控硅開關(guān)的導(dǎo)通角增加，當(dāng)母線電壓足夠高后，LED通道開始導(dǎo)通。IC內(nèi)部一般會(huì)設(shè)置VREF1電壓比VREF2電壓低，因此當(dāng)LED通道的電流足夠大，CS電壓比VREF1高后，BLD泄放通路將被動(dòng)關(guān)閉，后續(xù)LED電流將由LED通道控制。

傳統(tǒng)的用于可控硅調(diào)光的線性LED驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)，可控硅維持電流電路與LED恒流控制電路的切換，是通過(guò)母線電壓的高低被動(dòng)改變的，母線電壓高于LED電壓，LED通路自然開啟，同時(shí)可控硅維持電流電路將被動(dòng)關(guān)閉；母線電壓低于LED電壓，則LED通路自然關(guān)閉，同時(shí)可控硅維持電流電路將被動(dòng)開啟。

母線電壓的波動(dòng)，將很容易導(dǎo)致可控硅維持電流和LED恒流控制電路之間的反復(fù)開啟/關(guān)閉，最終體現(xiàn)在LED燈上就會(huì)看到燈不穩(wěn)定的現(xiàn)象，具體體現(xiàn)在當(dāng)可控硅開關(guān)打開一瞬間，LED燈會(huì)瞬間亮下再滅掉，當(dāng)旋轉(zhuǎn)可控硅開關(guān)調(diào)光時(shí)，在LED稍微開啟階段，很容易出現(xiàn)LED燈閃爍。

用于可控硅調(diào)光的這種線性驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)，優(yōu)點(diǎn)是線路簡(jiǎn)單，但有兩處明顯的缺點(diǎn)：

1)在可控硅開關(guān)打開的一瞬間，由于可控硅特性，母線電壓上面會(huì)有一瞬間的過(guò)沖電壓，而用于提供可控硅維持電流的BLD通道反應(yīng)速度以及泄放能力的原因，導(dǎo)致能量不能及時(shí)泄放，此時(shí)LED通道會(huì)被動(dòng)打開，LED開始發(fā)光。當(dāng)能量被泄放完后，LED又會(huì)滅掉，BLD通道正常提供維持電流。這樣會(huì)導(dǎo)致用戶在開啟的一瞬間，看到燈閃亮一下后又滅掉。

2)在可控硅調(diào)光過(guò)程中，當(dāng)處于泄放通道BLD與LED通道轉(zhuǎn)換過(guò)程中時(shí)，由于母線電壓的不穩(wěn)定，泄放通路和LED通道可能會(huì)反復(fù)開啟關(guān)閉，會(huì)看到LED燈閃爍的現(xiàn)象。

用于可控硅調(diào)光的多段式線性驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)，也面臨上述的同樣問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容

針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明目的在于提供一種用于可控硅調(diào)光的線性LED驅(qū)動(dòng)電路，解決現(xiàn)有技術(shù)在開啟時(shí)刻的過(guò)沖閃爍和在臨界電壓達(dá)到時(shí)反復(fù)地切換通道造成的開關(guān)閃爍等技術(shù)問(wèn)題。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下：

一種用于可控硅調(diào)光的線性LED驅(qū)動(dòng)電路,包括

電源、可控硅開關(guān)電路和整流橋，構(gòu)成可控硅驅(qū)動(dòng)電源電路；

積分電路，包括電壓值依次降低的電源電位點(diǎn)和取樣電位點(diǎn)，整流橋輸出端連接至電源電位點(diǎn)；

驅(qū)動(dòng)電路，包括開關(guān)控制處理電路，開關(guān)控制處理電路通過(guò)取樣電位點(diǎn)電壓控制驅(qū)動(dòng)電路泄放通道的第一開關(guān)晶體管和驅(qū)動(dòng)電路LED通道的第二開關(guān)晶體管導(dǎo)通或截止；

所述的開關(guān)控制處理電路，包括滯回比較器,滯回比較器輸入端連接至取樣電位點(diǎn)；

LED燈，其最高電位點(diǎn)連接整流橋輸出端且由驅(qū)動(dòng)電路的第二開關(guān)晶體管控制。

上述方案中，所述的積分電路，包括電壓值依次降低的電源電位點(diǎn)、取樣電位點(diǎn)和接地點(diǎn)，該三個(gè)電位點(diǎn)依次通過(guò)與整流橋輸出端連接的分壓電阻設(shè)置，取樣電位點(diǎn)還連接有電容，電容另一端連接至接地點(diǎn)。

上述方案中，所述的第一開關(guān)晶體管或第二開關(guān)晶體管，選用NMOS場(chǎng)效應(yīng)管，第二開關(guān)晶體管的漏極連接LED燈的最低電位點(diǎn)。

上述方案中，所述的驅(qū)動(dòng)電路，其泄放通道或LED通道均包括一個(gè)運(yùn)算放大器；

所述運(yùn)算放大器的同相輸入端分別設(shè)有不同參考電壓，其反相輸入端分別檢測(cè)第一開關(guān)晶體管和第二開關(guān)晶體管的源極電壓或者均檢測(cè)第二開關(guān)晶體管的源極電壓，且其輸出端分別連接至第一開關(guān)晶體管的柵極和第二開關(guān)晶體管的柵極；

所述第一開關(guān)晶體管的漏極連接LED燈的最高電位點(diǎn)且其源極通過(guò)負(fù)載電阻接地，構(gòu)成泄放通道；

所述的第二開關(guān)晶體管的源極也通過(guò)所述負(fù)載電阻或另一個(gè)負(fù)載電阻接地，構(gòu)成LED通道。

上述方案中，所述的LED燈，采用LED燈串或LED陣列。

上述方案中，所述的驅(qū)動(dòng)電路，還包括

第三開關(guān)晶體管，其漏極連接電壓相對(duì)低于LED燈最高電位點(diǎn)電壓且相對(duì)高于LED最低電位點(diǎn)電壓的LED燈中間電位點(diǎn)，其源極通過(guò)所述負(fù)載電阻或獨(dú)立的負(fù)載電阻接地；