1.一種高兼容性層次化的NAND閃存控制方法，包括3個層次：

層次1：并行管理多個NAND閃存顆粒操作流程的操作層；

層次2：處理NAND閃存命令集的命令層；

層次3：驅動NAND閃存接口總線的物理層。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述層次1的功能包括，將NAND閃存操作拆分為NAND閃存命令，操作忙碌時間等待，NAND閃存狀態查詢等，并將相應的NAND命令發送至權利要求1所述的方法中的層次2，即命令層。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述層次1可并行管理多個NAND閃存操作，NAND閃存的IO通道通常掛載多個NAND閃存顆粒，這些NAND閃存顆粒共享一個數據命令接口，但是可以獨立且并行執行NAND閃存操作，所述層次1，即操作層，可同時對多個NAND顆粒上的閃存操作完成權利要求2所訴功能，并將來自不同操作的NAND閃存命令交織發送至權利要求1所述的方法中的層次2，即命令層，以充分利用多個閃存顆粒共享的數據通道帶寬。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述層次2的功能包括，將NAND閃存命令拆分為NAND閃存接口總線控制序列，并將相應的NAND閃存接口總線控制序列發送至權利要求1所述的方法中的層次3，即物理層。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述層次3的功能包括， 根據NAND閃存接口總線控制序列，控制NAND閃存接口總線行為，產生相應的總線狀態。

6.一種可配置的層次化NAND閃存控制系統，其特征在于，所訴系統各層次的控制可進行配置，用于適配各種廠商提供的各類型號的NAND閃存顆粒，其中，所述層次1操作層中的閃存操作流程可通過內置存儲單元的編程被系統進行配置；所述層次2命令層中的閃存命令的接口總線控制序列可通過內置存儲單元的編程被系統進行配置；所述層次3物理層中的閃存接口總線狀態可通過內置存儲單元的編程被系統進行配置。