[發明專利]解交錯電路與解交錯方法在審
| 申請號: | 201610852354.8 | 申請日: | 2016-09-27 |
| 公開(公告)號: | CN107872638A | 公開(公告)日: | 2018-04-03 |
| 發明(設計)人: | 王俊杰 | 申請(專利權)人: | 晨星半導體股份有限公司 |
| 主分類號: | H04N7/01 | 分類號: | H04N7/01 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司31100 | 代理人: | 徐偉 |
| 地址: | 中國臺灣新竹縣*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 交錯 電路 方法 | ||
技術領域
本發明是關于時間解交錯電路與方法,尤其是關于可減少存儲器存取次數的時間解交錯電路與方法。
背景技術
一般而言,地面數字視頻廣播(digital video broadcasting-Second Generation terrestrial,DVB-T2)的廣播信號在發送之前會先將數據經過單元交錯(Cell-interleaving,CI)運算及時間交錯(Time-interleaving,TI)運算以盡可能降低傳輸過程中各種干擾對傳輸數據的影響,接收端才可以取得正確的傳輸數據,而信號接收端在接收信號后必須先經過時間解交錯(Time de-interleaving)運算及單元解交錯(Cell de-interleaving)運算才能將數據正確解碼。請參閱圖1,其是習知信號接收端的功能方塊圖。信號接收端100包含解調變電路(demodulator)110、頻率解交錯(frequency de-interleaving)電路120、時間解交錯電路130、單元解交錯電路140、去映射(de-mapping)電路150以及解碼電路160。輸入信號為調變過后的信號(例如基于正交分頻多工(orthogonal frequency division multiplexing,OFDM)的正交振幅調變(quadrature amplitude modulation,QAM)信號),經過解調變電路110處理后所得到的交錯信號包含兩個正交的分量(I、Q)及信號噪聲比(signal to noise ratio,SNR)等信息,之后經由頻率解交錯電路120、時間解交錯電路130、單元解交錯電路140的解交錯運算后,使該些信息以正確的順序重新排列,再經過去映射電路150的運算后還原成位信息,最后經由解碼電路160的運算后(例如低密度奇偶檢查(Low-density parity-check,LDPC)及BCH解碼)得到傳輸數據。
時間解交錯運算是以一個TI區塊為單位,每一個TI區塊包含NFEC個向前錯誤校正(forward error correction,以下簡稱FEC)區塊,而每個FEC區塊包含Ncell個單元(cell)。在接收端運行時間解交錯運算時,所使用的動態隨機存取存儲器(dynamic random access memory,DRAM)的大小為Nr列與Nc欄,其中Nr為Ncell/5,Nc為NFEC×5。圖1的時間解交錯電路130是對上述TI區塊所包含的NFEC×Ncell個單元執行解交錯處理。
根據上述說明所提供的信息,時間解交錯處理涉及大量的存儲器存取作業,存儲器存取的效率愈高,時間解交錯處理的效能愈好。基于一般存儲器的設計,從一存儲器的同一列(row)存取N筆數據所需的時間明顯少于從該存儲器的不同列存取N筆數據所需的時間,因此,為增進存儲器存取效率,拼磚(tile)技術被采用。
關于拼磚技術,請參見以下說明。舉例而言,假定一TI區塊所需的存儲器大小為18列與13欄,一時間解交錯處理以第一方向順序(本例中第一方向順序為縱向順序)寫入數據如圖2a所示,其中第0筆寫入數據至第17筆寫入數據構成一第一縱向數據群組、第18筆寫入數據至第35筆寫入數據構成一第二縱向數據群組、…、以及第216筆寫入數據至第233筆寫入數據構成一第十三縱向數據群組;該時間解交錯處理作業另以第二方向順序(本例中第二方向順序為橫向順序)讀出數據如圖2b所示,其中第0筆讀出數據至第12筆讀出數據(對應圖2a的第0、18、36、…、198以及216筆寫入數據)構成一第一橫向數據群組、第13筆讀出數據至第25筆讀出數據(對應圖2a的第1、19、37、…、199以及217筆寫入數據)構成一第二橫向數據群組、…、以及第221筆讀出數據至第233筆讀出數據(對應圖2a的第17、35、53、…、215以及233筆寫入數據)構成一第十八橫向數據群組。若上述時間解交錯處理所采用的存儲器的大小為20列與16行,為避免換列存取所造成的大量時間消耗,同一列的16個儲存單位可規劃為一存儲器拼磚,則存取圖2a與圖2b的數據所需的存儲器拼磚(即Tile 0至Tile 19,如圖3所示)的總數為:
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于晨星半導體股份有限公司,未經晨星半導體股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.17sss.com.cn/pat/books/201610852354.8/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:祛痘復方精油及其制備方法
- 下一篇:一種含透閃石礦物元素的防蛀牙牙膏





