技術領域

本發明實施例是關于一種整合扇出型封裝體，且特別是有關于一種具有填充物的整合扇出型封裝體。

背景技術

近年來，由于各種電子元件(例如晶體管、二極管、電阻器、電容器等)的積集度不斷提升，半導體工業因而快速成長。這種積集度的提升，大多因為最小特征尺寸的持續縮小，因而可以將更多的元件整合在一特定的區域中。而這些較小的電子元件相較于以前的封裝體，也需要占用較少面積的較小封裝體。

目前來說，基于其緊密度，整合扇出型(Integrated Fan-Out；INFO)封裝體日益受到歡迎。在整合扇出型封裝體中，重布線路結構(redistribution circuit structure)的形成在封裝工藝中扮演著重要的角色。

發明內容

根據本發明的一些實施例，一種整合扇出型封裝體包括晶粒、絕緣密封體、填充物以及重布線路結構。絕緣密封體密封晶粒的側壁，且絕緣密封體包括位于其上表面的凹陷。填充物覆蓋絕緣密封體的上表面且至少部分填入凹陷內。重布線路結構覆蓋晶粒的有源表面以及填充物。重布線路結構與晶粒電性連接且包括覆蓋晶粒以及填充物的介電層。

附圖說明

圖1為根據一些實施例所示出的一種整合扇出型封裝體的制造方法的流程圖；

圖2A至圖2K為根據一些實施例所示出的一種整合扇出型封裝體的制造方法的剖面圖；

圖2L為根據圖2K的整合扇出型封裝體的應用所示出的示意圖；

圖3A至圖3B為根據一些實施例所示出的一種整合扇出型封裝體的制造方法的中間步驟的剖面圖；

圖4A至圖4B為根據一些實施例所示出的一種整合扇出型封裝體的制造方法的中間步驟的剖面圖。

附圖標記說明：

10、20：整合扇出型封裝體；

100：襯底；

200：晶粒；

202：晶粒貼合膜；

204：半導體芯片；

206：連接結構；

208：鈍化層；

210：有源表面；

300a：絕緣密封材料層；

300b：絕緣密封體；

302、302a：凹陷；

310、410：上表面；

400a：感光性材料；

400b：填充物；

500：重布線路結構；

510、530：介電層；

520：圖案化導電層；

540：導通孔；

600：焊膏；

SW：側壁；

OSW：外側壁；

O、OP：開口；

P：周邊區；

M：掩膜；

L：光束；

TV：貫穿絕緣層孔；

d：間距；

t1：最大深度；

t2：最大厚度；

x：單邊差異；

W1、W2、W3：寬度；

S01～S06：步驟。

具體實施方式

以下發明內容提供用于實施所提供的標的之不同特征的許多不同實施例或實例。以下所描述的構件及配置的具體實例是為了以簡化的方式傳達本發明為目的。當然，這些僅僅為實例而非用以限制。舉例來說，在以下描述中，在第一特征上方或在第一特征上形成第二特征可包括第二特征與第一特征形成為直接接觸的實施例，且也可包括第二特征與第一特征之間可形成有額外特征使得第二特征與第一特征可不直接接觸的實施例。此外，本發明在各種實例中可使用相同的元件符號及/或字母來指代相同或類似的部件。元件符號的重復使用是為了簡單及清楚起見，且并不表示所欲討論的各個實施例及/或配置本身之間的關系。

另外，為了易于描述附圖中所示出的一個構件或特征與另一組件或特征的關系，本文中可使用例如“在...下”、“在...下方”、“下部”、“在…上”、“在…上方”、“上部”及類似術語的空間相對術語。除了附圖中所示出的定向之外，所述空間相對術語意欲涵蓋元件在使用或操作時的不同定向。設備可被另外定向(旋轉90度或在其他定向)，而本文所用的空間相對術語相應地作出解釋。

圖1為根據一些實施例所示出的一種整合扇出型封裝體的制造方法的流程圖。圖2A至圖2K為根據一些實施例所示出的一種整合扇出型封裝體的制造方法的剖面圖。