[發明專利]具有側壁保護重布層中介層的半導體封裝及其制造方法有效
| 申請號： | 201610649629.8 | 申請日： | 2016-08-10 |
| 公開（公告）號： | CN107195594B | 公開（公告）日： | 2018-12-04 |
| 發明（設計）人： | 施信益;吳鐵將 | 申請（專利權）人： | 美光科技公司 |
| 主分類號： | H01L23/31 | 分類號： | H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人： | 宋獻濤 |
| 地址： | 美國愛*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具有 側壁 保護 重布層 中介 半導體 封裝 及其 制造 方法 | ||
1.一種半導體封裝，包含：
一個重布層RDL中介層，具有第一面、與所述第一面相對的第二面，及延伸于所述第一面與所述第二面之間的垂直側壁；
一個鈍化層，位于所述RDL中介層的所述第一面上；
至少一個半導體晶粒，設在所述RDL中介層的所述第一面上，位于所述鈍化層的上方，其中所述至少一個半導體晶粒的側面與所述RDL中介層的所述垂直側壁不是共面的；
一個模塑料，具有與所述至少一個半導體晶粒的所述側面以及所述RDL中介層的所述垂直側壁平行的垂直外部側壁，所述模塑料與所述至少一個半導體晶粒的所述側面以及所述RDL中介層的所述垂直側壁的全部直接接觸；以及
多個焊錫凸塊或焊錫球設在所述第二面上并與所述RDL中介層電氣接觸。
2.根據權利要求1所述的半導體封裝，其中所述模塑料保留與所述RDL中介層的所述第一面相對的所述至少一個半導體晶粒的表面暴露。
3.根據權利要求1所述的半導體封裝，其中所述RDL中介層包含一個RDL，所述RDL包含至少一個介電層及至少一個金屬層。
4.根據權利要求3所述的半導體封裝，其中所述至少一個介電層包含聚亞酰胺、氮化硅或氧化硅。
5.根據權利要求3所述的半導體封裝，其中所述至少一個金屬層包含鋁、銅、鎢、鈦或氮化鈦。
6.根據權利要求3所述的半導體封裝，其中所述RDL中介層進一步包含設于所述RDL中介層的所述第二面上的另一個鈍化層，且所述模塑料與所述另一個鈍化層的側面接觸。
7.根據權利要求6所述的半導體封裝，其中所述模塑料具有一個表面，所述表面與所述另一個鈍化層的一個表面齊平且面對所述RDL中介層。
8.根據權利要求6所述的半導體封裝，其中在所述RDL中介層的所述第二面上設有一個防焊層，且所述防焊層的一個表面面對所述RDL中介層的所述第二面并與所述模塑料鄰近接觸。
9.根據權利要求1所述的半導體封裝，其中所述至少一個半導體晶粒與所述RDL中介層通過延伸穿過所述鈍化層中的開口的導電凸塊電氣連接。
10.根據權利要求9所述的半導體封裝，其中所述導電凸塊包含銅或焊錫。
11.根據權利要求1所述的半導體封裝，其中所述至少一個半導體晶粒包含繪圖處理器GPU、中央處理器CPU或內存芯片中的至少一者。
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