[發(fā)明專(zhuān)利]基于非晶化與尺度效應(yīng)的AlN埋絕緣層上晶圓級(jí)單軸應(yīng)變Ge的制作方法有效

申請(qǐng)?zhí)枺?/td>	201610446728.6	申請(qǐng)日：	2016-06-20
公開(kāi)（公告）號(hào)：	CN105845617B	公開(kāi)（公告）日：	2018-08-24
發(fā)明（設(shè)計(jì)）人：	郝躍;戴顯英;梁彬;苗東銘;祁林林;焦帥	申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人：	西安電子科技大學(xué)
主分類(lèi)號(hào)：	H01L21/762	分類(lèi)號(hào)：	H01L21/762;H01L21/265;H01L21/205;H01L21/324;C23C16/44
代理公司：	陜西電子工業(yè)專(zhuān)利中心 61205	代理人：	王品華
地址：	710071***	國(guó)省代碼：	陜西;61
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摘要：
搜索關(guān)鍵詞：	基于非晶化尺度效應(yīng) aln 絕緣層上晶圓級(jí)單軸應(yīng)變 ge 制作方法
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專(zhuān)利分類(lèi)

H 電學(xué)

H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造

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