[發(fā)明專利]基于六方氮化硼和磁控濺射氮化鋁的氮化鎵生長方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610334060.6 | 申請日： | 2016-05-19 |
| 公開（公告）號： | CN105861987B | 公開（公告）日： | 2019-02-19 |
| 發(fā)明（設計）人： | 張進成;龐凱;陳智斌;呂佳騏;朱家鐸;許晟瑞;林志宇;寧靜;張金;郝躍 | 申請（專利權）人： | 西安電子科技大學 |
| 主分類號： | C23C14/06 | 分類號： | C23C14/06;C23C14/35;C23C14/54;C23C16/34;C23C16/44;C23C16/52 |
| 代理公司： | 陜西電子工業(yè)專利中心 61205 | 代理人： | 田文英;王品華 |
| 地址： | 710071*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基于 氮化 磁控濺射 生長 方法 | ||
【權利要求書】：
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C23 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制
C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
