[發(fā)明專利]CF基板及其制作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610136420.1 | 申請日： | 2016-03-10 |
| 公開（公告）號： | CN105607336B | 公開（公告）日： | 2019-01-15 |
| 發(fā)明（設計）人： | 周笛;伊文超;蘇軍;劉學敏 | 申請（專利權）人： | 武漢華星光電技術有限公司 |
| 主分類號： | G02F1/1335 | 分類號： | G02F1/1335;G02F1/1333 |
| 代理公司： | 深圳市德力知識產(chǎn)權代理事務所 44265 | 代理人： | 林才桂 |
| 地址： | 430070 湖北省武漢市*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | cf 及其 制作方法 | ||
1.一種CF基板，其特征在于，包括：
襯底基板(1)；
設于所述襯底基板(1)上的第一黑色矩陣(2)，所述第一黑色矩陣(2)包括多個第一黑色矩陣分區(qū)(21)，每個第一黑色矩陣分區(qū)(21)均呈網(wǎng)狀結構，相鄰的第一黑色矩陣分區(qū)(21)相互斷開、間隔，所述第一黑色矩陣(2)的材料為高導電性黑色遮光材料；
于所述第一黑色矩陣(2)的每個第一黑色矩陣分區(qū)(21)的鏤空處及相鄰兩個第一黑色矩陣分區(qū)之間(21)設于所述襯底基板(1)上的彩色色阻層(3)；
設于相鄰第一黑色矩陣分區(qū)(21)之間的彩色色阻層(3)上的第二黑色矩陣(4)，所述第二黑色矩陣(4)包括多個第二黑色矩陣分區(qū)(41)，每個第二黑色矩陣分區(qū)(41)亦呈網(wǎng)狀結構，相鄰第二黑色矩陣分區(qū)(41)相互斷開、間隔，所述第二黑色矩陣(4)的材料亦為高導電性黑色遮光材料；
以及覆蓋所述第二黑色矩陣(4)、彩色色阻層(3)、與第一黑色矩陣(2)的保護層(5)；
所述第一黑色矩陣(2)與第二黑色矩陣(4)共同遮光；通過部分第二黑色矩陣分區(qū)(41)架橋連接部分第一黑色矩陣分區(qū)(21)，所述第一黑色矩陣(2)還同時用作觸控發(fā)射電極與觸控感應電極。
2.如權利要求1所述的CF基板，其特征在于，位于部分同一橫行的相鄰第一黑色矩陣分區(qū)(21)之間的第二黑色矩陣分區(qū)(41)與相應的第一黑色矩陣分區(qū)(21)接觸，形成架橋連接；位于部分同一縱列的相鄰第一黑色矩陣分區(qū)(21)之間的第二黑色矩陣分區(qū)(41)與相應的第一黑色矩陣分區(qū)(21)接觸，形成架橋連接；除此以外，位于分屬于不同橫行的相鄰第一黑色矩陣分區(qū)(21)之間的第二黑色矩陣分區(qū)(41)不與相應的第一黑色矩陣分區(qū)(21)接觸；位于分屬于不同縱列的相鄰第一黑色矩陣分區(qū)(21)之間的第二黑色矩陣分區(qū)(41)不與相應的第一黑色矩陣分區(qū)(21)接觸。
3.如權利要求2所述的CF基板，其特征在于，位于分屬于不同橫行的相鄰第一黑色矩陣分區(qū)(21)之間的第二黑色矩陣分區(qū)(41)與相應的第一黑色矩陣分區(qū)(21)之間通過彩色色阻層(3)隔斷；位于分屬于不同縱列的相鄰第一黑色矩陣分區(qū)(21)之間的第二黑色矩陣分區(qū)(41)與相應的第一黑色矩陣分區(qū)(21)之間通過彩色色阻層(3)隔斷。
4.如權利要求1所述的CF基板，其特征在于，所述高導電性黑色遮光材料為黑色金屬、或具有高導電率的黑色樹脂、或普通黑色樹脂摻雜銀納米線與碳納米管。
5.如權利要求1所述的CF基板，其特征在于，所述保護層(5)的材料為光感材料；所述保護層(5)在對應CF基板邊緣的位置設有過孔，暴露出部分第一黑色矩陣(2)。
6.一種CF基板的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟1、提供一洗凈的襯底基板(1)，在所述襯底基板(1)上采用光刻工藝形成第一黑色矩陣(2)；
所述第一黑色矩陣(2)包括多個第一黑色矩陣分區(qū)(21)，每個第一黑色矩陣分區(qū)(21)均呈網(wǎng)狀結構，相鄰第一黑色矩陣分區(qū)(21)相互斷開、間隔，所述第一黑色矩陣(2)的材料為高導電性黑色遮光材料；
步驟2、在所述襯底基板(1)上采用光刻工藝于所述第一黑色矩陣(2)的每個第一黑色矩陣分區(qū)(21)的鏤空處及相鄰第一黑色矩陣分區(qū)之間(21)形成彩色色阻層(3)；
步驟3、在相鄰第一黑色矩陣分區(qū)(21)之間的彩色色阻層(3)上采用光刻工藝形成第二黑色矩陣(4)；
所述第二黑色矩陣(4)包括多個第二黑色矩陣分區(qū)(41)，每個第二黑色矩陣分區(qū)(41)亦呈網(wǎng)狀結構，相鄰第二黑色矩陣分區(qū)(41)相互斷開、間隔，所述第二黑色矩陣(4)的材料亦為高導電性黑色遮光材料；
所述第一黑色矩陣(2)與第二黑色矩陣(4)共同遮光；通過部分第二黑色矩陣分區(qū)(41)架橋連接部分第一黑色矩陣分區(qū)(21)，所述第一黑色矩陣(2)還同時用作觸控發(fā)射電極與觸控感應電極；
步驟4、在所述第二黑色矩陣(4)、彩色色阻層(3)、與第一黑色矩陣(2)上沉積、覆蓋保護層(5)。
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G02F 用于控制光的強度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置，例如轉換、選通、調(diào)制或解調(diào)，上述器件或裝置的光學操作是通過改變器件或裝置的介質(zhì)的光學性質(zhì)來修改的；用于上述操作的技術或工藝；變頻；非線性光學；光學
G02F1-00 控制來自獨立光源的光的強度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置，例如，轉換、選通或調(diào)制；非線性光學
G02F1-01 .對強度、相位、偏振或顏色的控制
G02F1-29 .用于光束的位置或方向的控制，即偏轉
G02F1-35 .非線性光學
G02F1-355 ..以所用材料為特征的
G02F1-365 ..在光波導結構中的
