1.交直流磁通門電流傳感器，包含磁通門檢測(cè)探頭和信號(hào)處理電路，其特征是所述磁通 門檢測(cè)探頭由一個(gè)主磁芯、聚磁磁芯、激勵(lì)繞組、反饋繞組和二次側(cè)繞組構(gòu)成；

主磁芯和聚磁磁芯均為環(huán)型磁芯，聚磁磁芯套在主磁芯外部且兩者同軸，激勵(lì)繞組為單 根導(dǎo)線沿著主磁芯圓周方向均勻纏繞形成的繞組，二次側(cè)繞組為單根導(dǎo)線沿聚磁磁芯徑向均 勻纏繞形成的繞組，反饋繞組為單根導(dǎo)線沿向?qū)h(huán)形磁芯和聚磁磁芯一并纏繞形成的繞組；

信號(hào)處理電路由激勵(lì)電路和零磁通檢測(cè)電路組成，激勵(lì)電路包括激勵(lì)信號(hào)發(fā)生電路和信 號(hào)驅(qū)動(dòng)電路，激勵(lì)信號(hào)發(fā)生電路中具有采樣電阻，激勵(lì)信號(hào)發(fā)生電路的輸出端連接著信號(hào)驅(qū) 動(dòng)電路的輸入端；激勵(lì)繞組一端與激勵(lì)信號(hào)發(fā)生電路的輸入端連接并經(jīng)采樣電阻接地，另一 端連接著信號(hào)驅(qū)動(dòng)電路輸出端；零磁通檢測(cè)電路包括積分比較器電路和H橋驅(qū)動(dòng)電路，H橋 驅(qū)動(dòng)電路中具有測(cè)量電阻；積分比較器電路的輸入端和信號(hào)驅(qū)動(dòng)電路的輸出端相連，積分比 較器電路的輸出端和H橋驅(qū)動(dòng)電路的輸入端相連，H橋驅(qū)動(dòng)電路的輸出端連接反饋繞組的一 端，反饋繞組的另一端通過H橋驅(qū)動(dòng)電路中的測(cè)量電阻接地，同時(shí)反饋繞組的另一端連接著 磁通門檢測(cè)探頭中的二次側(cè)繞組，二次側(cè)繞組的另一端接地。

2.如權(quán)利要求1所述的交直流磁通門電流傳感器，其特征是主磁芯的高度H₁與聚磁磁芯的 高度H₂相等。聚磁磁芯的內(nèi)徑d₂大于主磁芯的外徑D₁，d₂-D1≤2mm。

3.如權(quán)利要求1所述的交直流磁通門電流傳感器，其特征是所述的激勵(lì)信號(hào)發(fā)生電路選 自方波信號(hào)發(fā)生電路、三角波信號(hào)發(fā)生電路、正弦波信號(hào)發(fā)生電路中的一種。

4.如權(quán)利要求1所述交直流磁通門電流傳感器，其特征所述的激勵(lì)信號(hào)發(fā)生電路為方波 信號(hào)發(fā)生電路。

5.如權(quán)利要求4所述的所述交直流磁通門電流傳感器的方波信號(hào)發(fā)生電路采用型號(hào)為 LM6132的方波信號(hào)發(fā)生芯片。

6.如權(quán)利要求1～5任一所述的交直流磁通門電流傳感器，其特征是所述信號(hào)驅(qū)動(dòng)電路采 用型號(hào)為IR2101s的功率放大芯片。

7.如權(quán)利要求1～5任一所述的交直流磁通門電流傳感器，其特征是所述積分比較器電路 采用型號(hào)為TLC2652積分比較器芯片。