1.一種晶圓減薄方法，其特征在于，具體按以下步驟進(jìn)行：

步驟1：取聚酰亞氨溶液，再按所取聚酰亞氨溶液質(zhì)量的20%取聚四氟乙稀，聚四氟乙稀加入聚酰亞氨溶液中，滾動(dòng)攪拌均勻，形成涂覆液；將涂覆液均勻涂覆在原始晶圓（1）正面以及邊緣的倒角上，使涂覆液與原始晶圓片（1）正面以及邊緣的倒角緊密粘貼，在60℃溫度下烘烤20min，涂覆液硬化形成覆蓋層（5），對(duì)原始晶圓片（1）上的芯片實(shí)現(xiàn)無縫隙保護(hù)；

或者，取聚四氟乙稀UV膠膜，將聚四氟乙稀UV膠膜覆蓋于原始晶圓片（1）正面，在50℃溫度下烘烤10min，聚四氟乙稀UV膠膜軟化后，去除聚四氟乙稀UV膠膜與原始晶圓片（1）邊緣倒角之間形成的空隙（3）中的氣泡，使聚四氟乙稀UV膠膜緊密粘貼在原始晶圓片（1）正面以及邊緣的倒角上，形成覆蓋層（5），對(duì)原始晶圓片（1）上的芯片實(shí)現(xiàn)無縫隙保護(hù)；

步驟2：按現(xiàn)有的粗磨工藝對(duì)原始晶圓片（1）進(jìn)行粗磨；

步驟3：按現(xiàn)有的細(xì)磨工藝對(duì)粗磨后的原始晶圓片（1）進(jìn)行細(xì)磨；

步驟4：對(duì)覆蓋層（5）進(jìn)行光照，使覆蓋層（5）裂化；

步驟5：等離子清洗去除裂化的覆蓋層（5），即得減薄后的晶圓。