[發明專利]可撓式觸控面板及其制造方法以及觸控顯示面板在審
| 申請號: | 201610061333.4 | 申請日: | 2016-01-28 |
| 公開(公告)號: | CN106648196A | 公開(公告)日: | 2017-05-10 |
| 發明(設計)人: | 李志宗;饒瑞昀;鍾尚廷;廖居宏 | 申請(專利權)人: | 達鴻先進科技股份有限公司 |
| 主分類號: | G06F3/041 | 分類號: | G06F3/041 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司11205 | 代理人: | 馬雯雯,臧建明 |
| 地址: | 中國臺灣臺中市后*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 可撓式觸控 面板 及其 制造 方法 以及 顯示 | ||
技術領域
本發明涉及一種可撓式觸控面板及其制造方法以及觸控顯示面板。
背景技術
近年來,數字信息和無線行動通信的技術快速發展。為了達到攜帶便利、體積輕巧化以及操作人性化的目的,許多電子信息產品,如移動電話(Mobile Phone)以及個人數字助理器(Personal Digital Assistant,PDA)等的輸入方式已由傳統的鍵盤或鼠標等裝置,轉變為使用觸控面板作為輸入設備,以提升操作的便利性。
傳統的觸控面板多為撓曲性低的硬質觸控面板。然而,隨著穿戴式顯示設備的崛起,除了顯示設備被要求能夠適應人體穿戴部位彎曲之外,觸控面板還被期待具有可撓曲特性,以應用于穿戴式顯示設備中,使穿戴式顯示設備還能提供觸控功能。可撓性觸控面板的開發實為未來的趨勢。
發明內容
本發明提供一種可撓式觸控面板及其制造方法以及觸控顯示面板。
本發明的一種可撓式觸控面板,其包括觸控組件以及分離層。觸控組件配置在分離層上,其中分離層接觸觸控組件的表面是平面,且分離層的厚度介于0.01μm至2μm之間。
在本發明的一實施例中,上述的可撓式觸控面板還包括可撓式基材。可撓式基材配置在分離層上,其中可撓式基材與觸控組件位于分離層的同一側,且至少部分觸控組件位于可撓式基材與分離層之間。
在本發明的一實施例中,上述的觸控組件包括第一信號傳輸層、第二信號傳輸層以及絕緣層。第一信號傳輸層、絕緣層以及第二信號傳輸層依序堆棧在分離層上且位于可撓式基材與分離層之間,且第二信號傳輸層藉由絕緣層電性絕緣于第一信號傳輸層。
在本發明的一實施例中,上述的觸控組件包括第一信號傳輸層以及第二信號傳輸層。第一信號傳輸層配置在分離層上且位于可撓式基材與分離層之間。第二信號傳輸層配置在可撓式基材上,且可撓式基材位于第二信號傳輸層與第一信號傳輸層之間。第二信號傳輸層藉由可撓式基材電性絕緣于第一信號傳輸層。
在本發明的一實施例中,上述的可撓式觸控面板還包括保護層。保護層配置在第二信號傳輸層上,且第二信號傳輸層位于保護層與可撓式基材之間。
在本發明的一實施例中,上述的可撓式基材的厚度大于分離層的厚度且小于25μm。
在本發明的一實施例中,上述的可撓式基材的厚度介于3μm至12.5μm之間。
本發明的一種觸控顯示面板,其包括顯示面板以及可撓式觸控面板??蓳鲜接|控面板配置在顯示面板上且包括觸控組件以及分離層。觸控組件配置在分離層上,且分離層位于觸控組件與顯示面板之間,其中分離層接觸觸控組件的表面是平面,且分離層的厚度介于0.01μm至2μm之間。
在本發明的一實施例中,上述的可撓式觸控面板還包括可撓式基材。可撓式基材配置在分離層上,其中可撓式基材與觸控組件位于分離層的同一側,且至少部分觸控組件位于可撓式基材與分離層之間。
在本發明的一實施例中,上述的觸控組件包括第一信號傳輸層、第二信號傳輸層以及絕緣層。第一信號傳輸層、絕緣層以及第二信號傳輸層依序堆棧在分離層上且位于可撓式基材與分離層之間,且第二信號傳輸層藉由絕緣層電性絕緣于第一信號傳輸層。
在本發明的一實施例中,上述的觸控組件包括第一信號傳輸層以及第二信號傳輸層。第一信號傳輸層配置在分離層上且位于可撓式基材與分離層之間。第二信號傳輸層配置在可撓式基材上,且可撓式基材位于第二信號傳輸層與第一信號傳輸層之間。第二信號傳輸層藉由可撓式基材電性絕緣于第一信號傳輸層。
在本發明的一實施例中,上述的可撓式觸控面板還包括保護層。保護層配置在第二信號傳輸層上,且第二信號傳輸層位于保護層與可撓式基材之間。
在本發明的一實施例中,上述的可撓式基材的厚度大于分離層的厚度且 小于25μm。
在本發明的一實施例中,上述的可撓式基材的厚度介于3μm至12.5μm之間。
本發明的一種可撓式觸控面板的制造方法,其包括以下步驟:于承載基板上形成離型層;于離型層上形成分離層,且分離層的厚度介于0.01μm至2μm之間;于分離層上形成觸控組件,其中分離層接觸觸控組件的表面是平面;以及使配置有觸控組件的分離層脫離離型層。
在本發明的一實施例中,上述在使配置有觸控組件的分離層脫離離型層之前,還包括于離型層上形成可撓式基材,且可撓式基材的厚度大于分離層的厚度且小于25μm。
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